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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      W-band 0.1W 전력증폭기 MMIC 설계에 관한 연구

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      https://www.riss.kr/link?id=A107388439

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      국문 초록 (Abstract)

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      본 논문은 0.1W의 전력을 출력하는 W-band 전력증폭기 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuits) 설계에 관한 연구에 대해 보여준다. 0.1-μm GaAs(Gallium Arsenide) pHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) process를 이용해 MMIC 설계 및 시뮬레이션을 하였다. 충분한 전력 이득을 만족하기 위해 전력증폭기의 3-stage 다단구조를 이용하였으며, 시뮬레이션 결과 98 GHz에서 0.1W 이상의 출력전력과 13 dB의 소신호 이득 그리고 15 dB의 반사손실을 보여준다.
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      본 논문은 0.1W의 전력을 출력하는 W-band 전력증폭기 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuits) 설계에 관한 연구에 대해 보여준다. 0.1-μm GaAs(Gallium Arsenide) pHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) pr...

      본 논문은 0.1W의 전력을 출력하는 W-band 전력증폭기 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuits) 설계에 관한 연구에 대해 보여준다. 0.1-μm GaAs(Gallium Arsenide) pHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) process를 이용해 MMIC 설계 및 시뮬레이션을 하였다. 충분한 전력 이득을 만족하기 위해 전력증폭기의 3-stage 다단구조를 이용하였으며, 시뮬레이션 결과 98 GHz에서 0.1W 이상의 출력전력과 13 dB의 소신호 이득 그리고 15 dB의 반사손실을 보여준다.

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