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    ⅰ ⅱ ⅲ ⅳ ⅴ ⅵ ⅶ ⅷ ⅸ ⅹ Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ Ⅶ Ⅷ Ⅸ Ⅹ
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    LCD소자용 MIM 다이오드의 특성연구 = A Study on the MIM diode for LCD Device

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    High quality $Ta_2O_5$ thin films have been obtained from the anodization of deposited tantalum (Ta). The as-deposited amorphous films of 750 $\AA$ thickness have excellent electrical properties. These properties include refractive indices 2.1~2.2 dielectric constants ~25, and leakage currents $10^{-8}$ /A$\textrm{cm}^{-2}$ at 1 MV$\textrm{cm}^{-1}$. We fabricated a MIM element with the $Ta_2O_5$ films. They have perfect current-voltage symmetry characteristics. A high performance MIM device was formed by newly developed processes based on our unique anodization and annealing treatment. The effects of various processing conditions (top-electrode metals, annealing conditions) on the MIM device performances will be extensively discussed throughout this work.
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    High quality $Ta_2O_5$ thin films have been obtained from the anodization of deposited tantalum (Ta). The as-deposited amorphous films of 750 $\AA$ thickness have excellent electrical properties. These properties include refractive indices 2.1~2.2 die...

    High quality $Ta_2O_5$ thin films have been obtained from the anodization of deposited tantalum (Ta). The as-deposited amorphous films of 750 $\AA$ thickness have excellent electrical properties. These properties include refractive indices 2.1~2.2 dielectric constants ~25, and leakage currents $10^{-8}$ /A$\textrm{cm}^{-2}$ at 1 MV$\textrm{cm}^{-1}$. We fabricated a MIM element with the $Ta_2O_5$ films. They have perfect current-voltage symmetry characteristics. A high performance MIM device was formed by newly developed processes based on our unique anodization and annealing treatment. The effects of various processing conditions (top-electrode metals, annealing conditions) on the MIM device performances will be extensively discussed throughout this work.

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    2017-01-01 등재 우수등재학술지 선정 (계속평가)
    2014-06-16 학술지명변경 한글명 : Applied Science and Convergence Technology -> 한국진공학회지 KCI등재
    2014-02-06 학술지명변경 한글명 : ASCT -> Applied Science and Convergence Technology KCI등재
    2014-02-05 학술지명변경 한글명 : 한국진공학회지 -> ASCT
    외국어명 : Journal of the Koren Vacuum Society -> Applied Science and Convergence Technology    		 KCI등재
    2014-01-01 학술지명변경 한글명 : 한국진공학회지 -> Applied Science and Convergence Technology KCI등재
    2013-01-01 등재 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
    2010-01-01 등재 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
    2008-01-01 등재 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
    2005-05-23 학술지명변경 외국어명 : Journal of the Koren Cacuum Society -> Journal of the Koren Vacuum Society KCI등재
    2005-01-01 등재 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
    2004-01-01 등재 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) KCI등재후보
    2003-01-01 등재 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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    학술지 인용정보

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    기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
    2016 0.12 0.12 0.15
    KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
    0.13 0.1 0.328 0.03
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