ZnS:Mn 형광층을 이용한 ACTFEL소자의 제조 및 특성 = Fabrication and Characteristics of an ACTFEL Device Using a ZnS:Mn Phosphor Layer

국문 초록 (Abstract)

ACTFEL(AC thin film electroluminescent)소자의 형광층을 위해 기판온도 200℃에서 진공증착된 ZnS:Mn 박막을 AES표면분석한 결과 Zn과 S의 비는 1:1정도로 나타났다. 또한 ZnS:Mn 박막의 광학적 밴드갭은 3.3eV였으며 PL측정결과 580nm의 파장에서 최대값을 나타내었다. 이 결과로부터 ZnS:Mn 형광체의 발광중심으로 작용하는 Mn2+이온은 전도대로부터 1.16ev정도 낮은 준위에 존재함을 알 수 있었다. ZnS:Mn 형광층 및 PLT 절연층을 이용한 유리/ITO/ZnS:Mn/PLT/Al 구조로 제조된 ACTFEL 소자의 휘도는 100V의 인가전압에서 2,500cd/m2였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

A ratio of Zn : S of a ZnS:Mn thin film deposited by vacuum evaporation method at 200℃ for a phosphor layer of an ACTFEL device was 1:1 by the AES surface analysis. An optical bandgap of a ZnS:Mn thin film was 3.3eV and the maximum intensity of PL spectrum was at a wavelength of 580nm. From these results, it was found that the energy level of Mn2+ ion as the recombination center of a ZnS:Mn phosphor was located at the low level of 1.16eV from the conduction band. The brightness of an ACTFEL device which have a structure of glasss/ITO/ZnS:Mn/PLT/Al using the ZnS:Mn phosphor and PLT insulator was 2,500cd/m2 at 100V.

목차 (Table of Contents)

• 요약
• Ⅰ.서론
• Ⅱ.실험 및 측정
• Ⅲ.결과 및 고찰
• Ⅳ.결론
• 참고문헌