급속 열처리를 이용한 Ag와 MgZnO 박막의 쇼트키 다이오드 특성 연구 = A Study on the Characteristics of a MgZnO Schottky Diode by Rapid Thermal Annealing of Ag Metal

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

If stable Schottky diode characteristics are to be obtained, a stable Schottky barrier must be formed. In this work, ZnO and Mg0.3Zn0.7O films were deposited by RF sputtering with ZnO and Mg0.3Zn0.7O targets, respectively. For the formation of the Schottky contact, Ag metal was used and was annealed by using a rapid thermal process in air at 300 ℃, sequentially. The Schottky diode characteristics of ZnO and Mg0.3Zn0.7O were compared to understand of the effect of Mg and rapid thermal annealing. While the ZnO film showed no Schottky diode property, the sample of Mg0.3Zn0.7O that had undergone rapid thermal annealing showed an Ion/Ioff ratio of > 104, a threshold voltage of 1.10 V and a Schottky barrier of 1.10 eV.

국문 초록 (Abstract)

안정적인 쇼트키 접합 특성을 얻기 위해서는 쇼트키 장벽의 형성이 필수적이다. 본 연구에서는 Mg0.3Zn0.7O 타겟과 ZnO 타겟을 이용하여 RF 스퍼터링으로 ZnO와 Mg0.3Zn0.7O 박막을 형성하였다. 쇼트키 접합을 형성하기 위해 Ag 금속을 사용하였으며, 대기 분위기에서 300 ℃에서 급속 열처리를 한 후, Mg의 영향과 급속 열처리에 대한 영향을 알아보기 위하여 ZnO 박막과 Mg0.3Zn0.7O 박막의 쇼트키 다이오드 특성을 비교하였다. ZnO 박막의 경우, 열처리 전과 후, 모두 쇼트키 다이오드 특성이 나타나지 않았으나, MgZnO 박막의 경우, 열처리된 시편에서 약 104 이상의 점멸비, 1.10 V의 문턱전압, 그리고 1.10 eV의 장벽 높이를 보였다.

참고문헌 (Reference)

1 W. W. Wensa, 70 : 7119-, 1991

2 C. A. Mead, 18 : 218-, 1965

3 D. C. Look, 80 : 383-, 2001

4 H. S. Kang, 95 : 1246-, 2004

5 H. Tanaka, 86 : 192911-, 2005

6 T. Takagi, 42 : L401-, 2003

7 Y. W. Heo, 84 : 3474-, 2004

8 D. C. Reynolda, 99 : 873-, 1996

9 J. H. Lee, 51 : 09MF07-1-, 2012

10 K. Ito, 22 : L245-, 1983

11 T. Minami, 193/194 : 721-, 1990

12 M. Shimzu, 71 : 209-, 1985

13 R. P´eereza, 14 : 1146-, 2005

14 F. Roccaforte, 96 : 4313-, 2004

15 K. B. Sundaram, 15 : 428-, 1997

16 Y. Chen, 76 : 559-, 2000

17 A. Ohotomo, 72 : 2466-, 1998

18 Y. W. Heo, 85 : 15-, 2004

19 P. Singer, "Rapid Thermal Processing: A Progress Report" Semiconductor International 64-69, 1993

20 J. H. Kim, "Effect of Rapid Thermal Annealing on a Ti/Au Ohmic Contact to n-ZnO" 한국물리학회 53 (53): 335-338, 2008