Hot - Wall Epitaxy에 의한 CdTe(100) 박막의 성장과 광전류 특성

국문 초록 (Abstract)

Hot-wall epitaxy 방법에 의하여 GaAs(100) 기판 위에 CdTe(100) 박막을 성장하였다. 박막을 성장하는 동안 기판의 온도는 280℃, 증발원의 온도는 430℃로 유지하였고 성장률은 2 ㎛/h이었다. 박막의 두께가 증가함에 따라 격자상수와 2결정 X-선 요동곡선의 반폭치가 감소하였다. CdTe(100) 박막의 광전류 스펙트럼으로부터 에너지 띠간격의 광전류 봉우리는 가전자대 Γ_8에 있는 전자가 광흡수에 의해 전도대 Γ_6로 전이한 것이며, 에너지 띠간격의 온도의존성을 구한 결과 온도계수 a=-2.3~-3.5×10^(-4) eV/K 정도임을 알았다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

CdTe(100) epilayers were grown on GaAs(100) substrates by hot-wall epitaxy. During the growth, the substrate and source temperatures were maintained at 280℃ and 430℃, respectively. The growth rate of the epilayers was 2 ㎛/h. The lattice parameter and full width at half maximum of double crystal x-ray rocking curve were decreased as the epilayer thickness increased. From the photocurrent spectrum of the CdTe(100) epilayer the photocurrent peak corresponding to the band gap was thought to be due to the direct transition from the valence Γ_8 to the conduction Γ_6 with the absorption of light. From the variation of the band gap energy with temperature the temperature coefficients were about -2.3~-3.5×10^(-4)eV/K.

목차 (Table of Contents)

• 요약
  
• Abstract
  
• 1. 서론
  
• 2. 실험
  
• 3. 실험결과 및 논의
  
• 4. 결론
  
• 참고문헌