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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      통계적 실험계획에 의한 PECVD로 증착된 실리콘 산화막의 특성 분석 = Characteristic of Silicon Dioxide Films Deposited by PECVD using Statistical Design of Experiment (DOE)

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      https://www.riss.kr/link?id=A76519516

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

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      According as the current needs of low temperature in semiconductor manufacturing process, PECVD using low temperature and high deposition rate is becoming more of a concern. However, PECVD equipment has the defect possibility on the interface between substrates and gate oxide layer, because ions or electrons with much high energy clash the interface. In this study, we embarked on the experiment with Statistical Design of Experiment and then also analyze which parameters influence on the characteristic of silicon dioxide filems. We finally made a constructive proposal for process optimization conditions.
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      According as the current needs of low temperature in semiconductor manufacturing process, PECVD using low temperature and high deposition rate is becoming more of a concern. However, PECVD equipment has the defect possibility on the interface between ...

      According as the current needs of low temperature in semiconductor manufacturing process, PECVD using low temperature and high deposition rate is becoming more of a concern. However, PECVD equipment has the defect possibility on the interface between substrates and gate oxide layer, because ions or electrons with much high energy clash the interface. In this study, we embarked on the experiment with Statistical Design of Experiment and then also analyze which parameters influence on the characteristic of silicon dioxide filems. We finally made a constructive proposal for process optimization conditions.

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