광가교성 Sulfonated Polyimide 전해질 고분자를 이용한 습도센서의 제조 및 특성 분석

국문 초록 (Abstract)

칼콘기를 포함하는 광가교성 sulfonated polyimide(SPI) 전해질 고분자를 칼콘기를 가지는 실란 커플링제가 처 리된 알루미나 전극에 도포하여 습도센서를 제조하였다. SPI 필름 중 bis(tetramethyl)ammonium 2,2`-benzidinedisulfonate (Me4N-BDS)/4,4`-diaminochalcone(DAC)/pyromellitic dianhydride(PA)= 90/10/100 이루어진 습도센서는 20과 95 %RH 영역에서 4.48부터 2.1 kΩ까지 변화하며 좋은 직선성(Y = -0.04528X+7.69446, R2 = 0.99675)을 보여주었다. 33 %RH 와 94 %RH 사이에서 흡습과 제습과정의 응답속도는 약 79초이며, 가교화된 SPI 필름은 습도를 빠르게 검지할 수 있는 매우 효율적인 감습재료이다. 온도 의존성 계수는 -0.49 %RH/˚C이며 습도센서로서 응용시 온도 보상이 필요하다. 또한 센서의 기재를 칼콘을 포함하는 실란 커플링제로 처리한 센서는 가교와 동시에 기재에 접합되어 480시간 이상 내수성, 고온과 고습 안정성 및 장기 안정성이 뛰어남을 알 수 있었다. 이렇게 가교화된 SPI는 상용화된 센서 보다 우수한 특성을 보이는 재료로서 응용 가능성을 보여주었다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Photocurable sulfonated polyimide (SPI) polyelectrolyte containing chalcone group was prepared and fabricated on an alumina electrode pretreated with chalcone-containing silane-coupling agent. SPI films with bis(tetramethyl)ammonium 2,2`-benzidinedisulfonate (Me4N-BDS)/4,4`-diaminochalcone (DAC)/pyromellitic dianhydride (PA)= 90/10/100 possessed very linear response(Y = -0.04528X+7.69446, R2 = 0.99675) and showed resistance changing from 4.48 to 2.1kΩ between 20 and 95 %RH. The response time for absorption and desorption measurements between 33 and 94 %RH% was about 79 s, which affirmed the high efficiency of crosslinked SPI film for rapid detection of humidity. A negative temperature coefficient showing -0.49 %RH/˚C was found and proper temperature compensation should be considered in future applications. Moreover, pretreatment of the substrates with chalcone-containing silane-coupling agent was performed to improve the water durability and the stability of the humidity sensors at a high humidity and a high temperature and long-term stability for 480 h. The crosslinked SPI films anchored to electrode substrate could be a promising material for the fabrication of efficient humidity sensors with superior characteristics compared to the commercially available sensors.

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