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      KCI우수등재

      플래시 저장장치에서의 쓰기 증폭 모델에 대한 고찰

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      https://www.riss.kr/link?id=A106328565

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      국문 초록 (Abstract)

      SSD의 예상 수명을 알기 위하여 플래시 기반 저장장치의 쓰기 증폭을 예측하는 여러 분석 모델들이 제안되었다. 본 논문에서 우리는 4가지의 쓰기 증폭 예측 모델을 조사하여 분석하였다. 분...

      SSD의 예상 수명을 알기 위하여 플래시 기반 저장장치의 쓰기 증폭을 예측하는 여러 분석 모델들이 제안되었다. 본 논문에서 우리는 4가지의 쓰기 증폭 예측 모델을 조사하여 분석하였다. 분석 결과 대부분의 모델들은 SSD 모든 영역을 균일하게 활용하는 워크로드를 가정하여 쓰기 증폭을 예측하였고, 그렇기 때문에 일반적인 작업 부하에서 쓰기 증폭을 예측하는 데는 적용할 수 없음을 알 수 있었다. 본 논문은 추가적으로 각 모델의 장단점을 비교하고, 실제 SSD에서의 쓰기 증폭 측정을 통해 정확도를 검증하였다. 모든 모델들이 균일한 워크로드에서의 예측은 매우 높은 정확도를 나타내었으나, 실제 워크로드에서의 쓰기 증폭은 1.2 미만으로 모델 예측값보다 매우 낮으므로 이를 정확하게 예측하기 위한 후속 연구가 필요하다.

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      Several analytical models have been proposed to estimate the write amplification of flash-based storage devices to obtain the expected lifetime of SSDs. In this study, we analyze four write amplification models. Most models assume uniform workload to ...

      Several analytical models have been proposed to estimate the write amplification of flash-based storage devices to obtain the expected lifetime of SSDs. In this study, we analyze four write amplification models. Most models assume uniform workload to predict write amplification, and therefore, they can not be directly applied to predict write amplification in real-world workloads. We also found the strengths and weaknesses of the models, and validate them using real SSD. All models are proven to be accurate in uniform workloads, but the write amplification in real-world workloads is much lower than the model-expected values in real SSD. Therefore, more studies are needed to accurately predict the write amplification.

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      목차 (Table of Contents)

      • 요약
      • Abstract
      • Ⅰ. 서론
      • Ⅱ. 배경
      • Ⅲ. 쓰기 증폭 모델
      • 요약
      • Abstract
      • Ⅰ. 서론
      • Ⅱ. 배경
      • Ⅲ. 쓰기 증폭 모델
      • Ⅳ. 쓰기 증폭 모델의 문제점
      • Ⅴ. 실험
      • Ⅵ. 결론
      • REFERENCES
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      참고문헌 (Reference)

      1 "Ycsb"

      2 "Understanding over-provisioning" Kingston Technology 2013

      3 "Sysbench"

      4 W. BUX, "Performance of greedy garbage collection in flash-based solid-state drives" 67 (67): 1172-1186, 2010

      5 "Over-provisioning: Maximize the lifetime and performance of your ssd with small effect to earn more" Samsung Electronics Co. 2014

      6 L. P. CHANG, "On efficient wear leveling for large-scale flash-memory storage systems" 1126-1130, 2007

      7 "Filebench"

      8 L. P. CHANG, "Efficient management for large-scale flash-memory storage systems with resource conservation" 1 (1): 381-418, 2005

      9 N. Agrawal, "Design tradeoffs for ssd performance" 57-70, 2008

      10 P. Desnoyers, "Analytic modeling of ssd write performance" 2012

      1 "Ycsb"

      2 "Understanding over-provisioning" Kingston Technology 2013

      3 "Sysbench"

      4 W. BUX, "Performance of greedy garbage collection in flash-based solid-state drives" 67 (67): 1172-1186, 2010

      5 "Over-provisioning: Maximize the lifetime and performance of your ssd with small effect to earn more" Samsung Electronics Co. 2014

      6 L. P. CHANG, "On efficient wear leveling for large-scale flash-memory storage systems" 1126-1130, 2007

      7 "Filebench"

      8 L. P. CHANG, "Efficient management for large-scale flash-memory storage systems with resource conservation" 1 (1): 381-418, 2005

      9 N. Agrawal, "Design tradeoffs for ssd performance" 57-70, 2008

      10 P. Desnoyers, "Analytic modeling of ssd write performance" 2012

      11 X. Luojie, "An improved analytic expression for write amplification in nand flash" 497-501, 2012

      12 B. Van Houdt, "A mean field model for a class of garbage collection algorithms in flash-based solid state drives" 191-202, 2013

      13 R. Agarwal, "A closed-form expression for write amplification in nand flash" 1846-1850, 2010

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      2018-01-01 평가 우수등재학술지 선정 (계속평가)
      2015-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2014-12-11 학술지명변경 외국어명 : journal of The Institute of Electronics Engineers of Korea -> Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers KCI등재
      2014-01-21 학회명변경 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers KCI등재
      2011-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2007-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-10-17 학술지명변경 한글명 : 대한전자공학회 논문지 -> 전자공학회논문지 KCI등재
      2005-05-27 학술지등록 한글명 : 대한전자공학회 논문지
      외국어명 : journal of The Institute of Electronics Engineers of Korea
      KCI등재
      2005-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2002-07-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      2000-01-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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      학술지 인용정보

      학술지 인용정보
      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.27 0.27 0.25
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.22 0.19 0.427 0.09
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