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      比較思想硏究의 位相과 現代的 意義

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      국문 초록 (Abstract)

      본 小槁에서 현대사상에 관한 전반적 연구를 시도하여 비교하려는 의도는 없다. 다만 사상의 비교연구를 실천하는 데 길잡이가 도리 수 있는 入門書가 되었으면 한다.
      따라서 여기에서 언급하고자 하는 내용은 현대사상의 비교연구에 관한 학설이나 논문이 아니라 극히 단편적이며 상식적이며 개론적인 입문서에 불과하다는 것을 밝혀두고자 한다.
      첫째, 비교라는 개념은 어떠한 것이며, 비교사상의 정의를 어떻게 내릴 수 있는가. 비교사상 연구의 목적과 방법은 무엇이며, 현대 각국의 비교사상 연구는 어떻게 진행되고 잇는가. 끝으로 본인이 최근 교육학의 비교사상에 관한 논문을 제시하면서 우리 세계평화교수협의회가 지향해야 할 이상적인 방향은 어떠한 것이 되어야 할 것인가 하는 것을 개괄적으로 언급하려고 한다.
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      본 小槁에서 현대사상에 관한 전반적 연구를 시도하여 비교하려는 의도는 없다. 다만 사상의 비교연구를 실천하는 데 길잡이가 도리 수 있는 入門書가 되었으면 한다. 따라서 여기에서 언...

      본 小槁에서 현대사상에 관한 전반적 연구를 시도하여 비교하려는 의도는 없다. 다만 사상의 비교연구를 실천하는 데 길잡이가 도리 수 있는 入門書가 되었으면 한다.
      따라서 여기에서 언급하고자 하는 내용은 현대사상의 비교연구에 관한 학설이나 논문이 아니라 극히 단편적이며 상식적이며 개론적인 입문서에 불과하다는 것을 밝혀두고자 한다.
      첫째, 비교라는 개념은 어떠한 것이며, 비교사상의 정의를 어떻게 내릴 수 있는가. 비교사상 연구의 목적과 방법은 무엇이며, 현대 각국의 비교사상 연구는 어떻게 진행되고 잇는가. 끝으로 본인이 최근 교육학의 비교사상에 관한 논문을 제시하면서 우리 세계평화교수협의회가 지향해야 할 이상적인 방향은 어떠한 것이 되어야 할 것인가 하는 것을 개괄적으로 언급하려고 한다.

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      In this letter, we report on the investigation of Si/Ti, Pt/Si/Ti. Co/Si/Ti Ohmic contacts to p-type 4H-SiC. The contacts were formed by a 2-step vacuum annealing at 550℃ for 5 min. 850℃ for 2 min respectively. The contact resistances were measured using the transmission line model method. which resulted in specific 10^(4)Ω㎠. and the physical properties of the contact resistivities in the 9.2×10^(4), 7.1×10^(4) and 4.5×s were examined using microscopy. AES(auger electron spectroscopy). AES analysis has shown that, at this anneal temperature. there was a intermixing of the Ti and Si. migration of into SiC. Overlayer of Pt. Co had the effect of decreasing the specific contact resistivity and improving the surface morphology of the annealed contact.
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      In this letter, we report on the investigation of Si/Ti, Pt/Si/Ti. Co/Si/Ti Ohmic contacts to p-type 4H-SiC. The contacts were formed by a 2-step vacuum annealing at 550℃ for 5 min. 850℃ for 2 min respectively. The contact resistances were measure...

      In this letter, we report on the investigation of Si/Ti, Pt/Si/Ti. Co/Si/Ti Ohmic contacts to p-type 4H-SiC. The contacts were formed by a 2-step vacuum annealing at 550℃ for 5 min. 850℃ for 2 min respectively. The contact resistances were measured using the transmission line model method. which resulted in specific 10^(4)Ω㎠. and the physical properties of the contact resistivities in the 9.2×10^(4), 7.1×10^(4) and 4.5×s were examined using microscopy. AES(auger electron spectroscopy). AES analysis has shown that, at this anneal temperature. there was a intermixing of the Ti and Si. migration of into SiC. Overlayer of Pt. Co had the effect of decreasing the specific contact resistivity and improving the surface morphology of the annealed contact.

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      목차 (Table of Contents)

      • 1. 序論
      • 2. 本論
      • 1) 比較라는 槪念
      • 2) 比較思想의 歷史的 意義
      • 3) 현대 비교사상의 동향
      • 1. 序論
      • 2. 本論
      • 1) 比較라는 槪念
      • 2) 比較思想의 歷史的 意義
      • 3) 현대 비교사상의 동향
      • 4) 比較思想 硏究의 目的
      • 5) 比較思想의 方法論
      • 6) 比較宗敎的 方法論
      • 7) 한국에 있어서의 比較思想硏究의 動向
      • 8) 比較思想硏究의 現代的 意義
      • 3. 展望과 비전
      • 참고문헌
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