ZrO₂ - Y₂O₃ (YSZ) 중간층이 저 자장영역에서의 LSMO 박막의 자기저항 특성에 미치는 영향 = The Effect of ZrO₂ - Y₂O₃ (YSZ) Buffer Layer on Low - Field Magnetoresistance of LSMO Thin Films

국문 초록 (Abstract)

Water-based sol-gel법으로 La_(2/3)Sr_(1/3)MnO₃(LSMO)/YSZ/SiO₂/Si(100) 다결정체 박막을 제조하여 YSZ 중간층 도입에 따른 상온, 120 Oe의 저 자장영역에서 측정한 tunnel-type 자기저항 변화에 미치는 영향에 대하여 고찰하였다. 페롭스카이트 단일상을 갖는 미세한 LSMO 박막을 얻을 수 있었으며, YSZ 중간층을 도입하지 않은 박막의 자기저항 변화비는 최대 약 0.20 %이었으나, YSZ 중간층을 도입한 경우 자기저항비가 0.42 %로 증가하였다. 이러한 tunnel-type 자기저항의 증가 현상은 YSZ 중간층이 SiO₂/Si(100) 기판과 La_(2/3)Sr_(1/3)MnO₃ 자성박막 사이에서 확산 장벽층으로서의 역할을 수행하여 LSMO 박막의 미세구조 특성 향상 및 확산반응에 의하여 생성된 dead layer를 감소시켜 나타난 결과이다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

La_(2/3)Sr_(1/3)MnO₃(LSMO)/YSZ/SiO₂/Si(100) polycrystalline thin films were fabricated by chelated sol-gel method The effect of YSZ buffer layer at low field (120 Oe) spin-polarized tunneling magnetotransport (TMR) properties of LSMO thin film was studied at room temperature. Single perovskite LSMO thin films was obtained. The maximum TMR ratio was increased from 0.2 to 0.42 % by the insertion of YSZ buffer. YSZ as diffusion barrier was attributed to the fine microstructure of LSMO thin films and the reduction of dead layer between LSMO and SiO₂/Si(100) interfaces.

목차 (Table of Contents)

• 국문초록
  
• Ⅰ. 서론
  
• Ⅱ. 실험방법
  
• Ⅲ. 결과 및 고찰
  
• Ⅳ. 결론
  
• 참고문헌
  
• Abstract