RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      KCI등재

      CMP에서의 스틱-슬립 마찰특성에 관한 연구 = A Study on the Characteristics of Stick-slip Friction in CMP

      한글로보기

      https://www.riss.kr/link?id=A101055619

      • 0

        상세조회
      • 0

        다운로드
      서지정보 열기
      • 내보내기
      • 내책장담기
      • 공유하기
      • 오류접수

      부가정보

      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      Stick-slip friction is one of the material removal mechanisms in tribology. It occurs when the static friction force is larger than the dynamic friction force, and make the friction curve fluctuated. In the friction monitoring of chemical mechanical p...

      Stick-slip friction is one of the material removal mechanisms in tribology. It occurs when the static friction force is larger than the dynamic friction force, and make the friction curve fluctuated. In the friction monitoring of chemical mechanical polishing(CMP), the friction force also vibrates just as stick-slip friction. In this paper, an attempt to show the similarity between stick-slip friction and the friction of CMP was conducted. The prepared hard pa(IC1000/Suba400 stacked/sup TM/) and soft pad(Suba400/sup TM/) were tested with SiO₂ slurry. The friction force was measured by piezoelectric sensor. According to this experiment, it was shown that as the head and table velocity became faster, the stick-slip time shortened because of the change of real contact area. And, the gradient of stick-slip period as a function of head and table speed in soft pad was more precipitous than that of hard one. From these results, it seems that the fluctuating friction force in CMP is stick-slip friction caused by viscoelastic behavior of the pad and the change of real contact area.

      더보기

      참고문헌 (Reference)

      1 "반도체 평탄화 CMP 기술" 100-, 2001.

      2 "Sliding Friction" 2000.

      3 "Material removal mechanism of oxide and nitride CMP with ceria and silica-based slurries - analysis of slurry particles pre-and post-dielectric CMP" 816 : 921-9212, 2004.

      4 "Hydra- tion or steric forces between amphihilic surfaces" 6 : 873-, 1990.

      5 "Friction and Wear of Ma- terials" 4-, 1965.

      6 "Engineering with polymers" New York 89-, 1983.

      7 "Effect of slurry flow rate on pad life during interlayer dielectric CMP" 151 (151): 436-, 2004.

      8 "Chemistry and Physics of Solid Surfaces Ⅶ" 1990.

      9 "CMP 연마입자의 마찰력과 연마율에 관한 영향" 17 (17): 1049-, 2004.

      10 "CMP 결과에 영향을 미치는 마찰 특성에 관한 연구" 17 (17): 1041-, 2004.

      1 "반도체 평탄화 CMP 기술" 100-, 2001.

      2 "Sliding Friction" 2000.

      3 "Material removal mechanism of oxide and nitride CMP with ceria and silica-based slurries - analysis of slurry particles pre-and post-dielectric CMP" 816 : 921-9212, 2004.

      4 "Hydra- tion or steric forces between amphihilic surfaces" 6 : 873-, 1990.

      5 "Friction and Wear of Ma- terials" 4-, 1965.

      6 "Engineering with polymers" New York 89-, 1983.

      7 "Effect of slurry flow rate on pad life during interlayer dielectric CMP" 151 (151): 436-, 2004.

      8 "Chemistry and Physics of Solid Surfaces Ⅶ" 1990.

      9 "CMP 연마입자의 마찰력과 연마율에 관한 영향" 17 (17): 1049-, 2004.

      10 "CMP 결과에 영향을 미치는 마찰 특성에 관한 연구" 17 (17): 1041-, 2004.

      11 "Adhesion and Friction" 1989.

      12 "A molecular theory of friction" 7 : 905-, 1929.

      13 "A Study on the Interfacial Cha- racteristics and Its Effect on Material Re- moval in CMP" ph. D. qualifying disserta- tion of Pusan National University 62-, 2003.

      더보기

      동일학술지(권/호) 다른 논문

      동일학술지 더보기

      더보기

      분석정보

      View

      상세정보조회

      0

      Usage

      원문다운로드

      0

      대출신청

      0

      복사신청

      0

      EDDS신청

      0

      동일 주제 내 활용도 TOP

      더보기

      주제

      연도별 연구동향

      연도별 활용동향

      연관논문

      연구자 네트워크맵

      공동연구자 (7)

      유사연구자 (20) 활용도상위20명

      인용정보 인용지수 설명보기

      학술지 이력

      학술지 이력
      연월일 이력구분 이력상세 등재구분
      2026 평가예정 재인증평가 신청대상 (재인증)
      2020-01-01 평가 등재학술지 유지 (재인증) KCI등재
      2017-01-01 평가 등재학술지 유지 (계속평가) KCI등재
      2013-01-01 평가 등재 1차 FAIL (등재유지) KCI등재
      2010-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2008-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2006-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-05-30 학회명변경 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers KCI등재
      2004-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2001-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      1998-07-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
      더보기

      학술지 인용정보

      학술지 인용정보
      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.13 0.13 0.13
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.14 0.14 0.247 0.06
      더보기

      이 자료와 함께 이용한 RISS 자료

      나만을 위한 추천자료

      해외이동버튼