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    § ※ ☆ ★ ○ ● ◎ ◇ ◆ □ ■ △ ▽ → ← ↑ ↓ ↔ 〓 ◁ ◀ ▷ ▶ ♤ ♠ ♡ ♥ ♧ ♣ ⊙ ◈ ▣ ◐ ◑ ▒ ▤ ▥ ▨ ▧ ▦ ▩ ♨ ☏ ☎ ☜ ☞ † ‡ ↕ ↗ ↙ ↖ ↘ ♭ ♩ ♪ ♬ ㉿ ㈜ № ㏇ ™ ㏂ ㏘ ℡ ＃ ＆ ＊ ＠ ª º
    ⅰ ⅱ ⅲ ⅳ ⅴ ⅵ ⅶ ⅷ ⅸ ⅹ Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ Ⅶ Ⅷ Ⅸ Ⅹ
    ا ب ت ث ج ح خ د ذ ر ز س ش ص ض ط ظ ع غ ف ق ک ل م ن ه و ی
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    Application of Potential-pH Diagram and Potentiodynamic Polarization of Tungsten

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    The oxidizer-induced corrosion state and microstructure of surface passive metal-oxide layer greatly influenced on the removal rate of tungsten film according to the slurry chemical composition of different mixed oxidizers. In this paper, the actual polishing mechanism and pH-potential equilibrium diagram obtained from potentiodynamic polarization curve were electrochemically compared. An electrochemical corrosion effect implies that slurries with the highest removal rate (RR) have the high dissolution rate.
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    The oxidizer-induced corrosion state and microstructure of surface passive metal-oxide layer greatly influenced on the removal rate of tungsten film according to the slurry chemical composition of different mixed oxidizers. In this paper, the actual p...

    The oxidizer-induced corrosion state and microstructure of surface passive metal-oxide layer greatly influenced on the removal rate of tungsten film according to the slurry chemical composition of different mixed oxidizers. In this paper, the actual polishing mechanism and pH-potential equilibrium diagram obtained from potentiodynamic polarization curve were electrochemically compared. An electrochemical corrosion effect implies that slurries with the highest removal rate (RR) have the high dissolution rate.

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    참고문헌 (Reference)

    1 "Surface chemistry studies of copper chemical mechanical planarization" 148 (148): 389-, 2001.

    2 "Enhanced tungsten chemical mechanical polishing using stable alumina slurries" 2 (2): 148-, 1999.

    3 "Effects of oxidant additives for exact selectivity control of W- and Ti-CMP process" 77 (77): 132-, 2005.

    4 "Effect of particle size during tungsten chemical mechanical polishing" 2 (2): 401-, 1999.

    5 "Chemical-mechanical polishing for fabricating patterned W metal features as chip interconnects" 138 : 3460-, 1991.

    6 "Chemical mechanical polishing of polyarylether low dielectric constant layers by manganese oxide slurry" 146 (146): 2333-, 1999.

    7 "Chemical mechanical planarization of micro-electronic materials" John Wiley Sons 194-, 1997.

    8 "Atlas of Electrochemical Equilibrium in Aqueous Solutions" 1974.

    1 "Surface chemistry studies of copper chemical mechanical planarization" 148 (148): 389-, 2001.

    2 "Enhanced tungsten chemical mechanical polishing using stable alumina slurries" 2 (2): 148-, 1999.

    3 "Effects of oxidant additives for exact selectivity control of W- and Ti-CMP process" 77 (77): 132-, 2005.

    4 "Effect of particle size during tungsten chemical mechanical polishing" 2 (2): 401-, 1999.

    5 "Chemical-mechanical polishing for fabricating patterned W metal features as chip interconnects" 138 : 3460-, 1991.

    6 "Chemical mechanical polishing of polyarylether low dielectric constant layers by manganese oxide slurry" 146 (146): 2333-, 1999.

    7 "Chemical mechanical planarization of micro-electronic materials" John Wiley Sons 194-, 1997.

    8 "Atlas of Electrochemical Equilibrium in Aqueous Solutions" 1974.

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    2011-01-01 등재 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
    2009-01-01 등재 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
    2006-01-01 등재 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
    2005-05-30 학회명변경 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers KCI등재후보
    2005-05-30 학술지명변경 한글명 : Transactions on Electrical and Electroni -> Transactions on Electrical and Electronic Materials KCI등재후보
    2005-01-01 등재 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) KCI등재후보
    2003-01-01 등재 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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    기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
    2016 0.08 0.08 0.1
    KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
    0.1 0.11 0.239 0.07
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