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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      InSb薄膜의 磁氣低抗效果 = Magnetoresistance Effect of InSb Thin Films

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

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      Thin films of InSb have been prepared by the zone-crystallization in ambient air of vacuum deposited layers on glass substrates using a simple hot-wire apparatus. The multiple zone passes can be used to provide additional purification of the InSb films. The improved film quality is demonstrated by a film prepared with four zone passes at 1.4 ㎛/sec growth rate in a temperature gradient 300℃/㎝. The film with 1㎛ thickness has carrier cancentration and election mobility of 1.5×10??㎝-³ and 1.6×10⁴㎠/V.sec respectively at room temperature.
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      Thin films of InSb have been prepared by the zone-crystallization in ambient air of vacuum deposited layers on glass substrates using a simple hot-wire apparatus. The multiple zone passes can be used to provide additional purification of the InSb film...

      Thin films of InSb have been prepared by the zone-crystallization in ambient air of vacuum deposited layers on glass substrates using a simple hot-wire apparatus. The multiple zone passes can be used to provide additional purification of the InSb films. The improved film quality is demonstrated by a film prepared with four zone passes at 1.4 ㎛/sec growth rate in a temperature gradient 300℃/㎝. The film with 1㎛ thickness has carrier cancentration and election mobility of 1.5×10??㎝-³ and 1.6×10⁴㎠/V.sec respectively at room temperature.

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