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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      저온 플라즈마 발생장치의 정합기 특성에 관한 연구 = A study on the Characteristics the Impedance Matching Box of the Low Temperature Plasma Facilities

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      This paper develops a High Power RF Amplifier circuit which can produces Low Temperature Plasma. The input signal which has the frequency 13.56[MHz] was forced in the RF circuit designed by the high efficency class C amplifier. Above all the date tested by the trial network, which were close to the computed results on the theory. In order to avoid the overload and impedance mismatching of the Plasma Facilities due to changing factors, this paper shows that this pheonomena could be eleminated by a inserting impedance matching box between RF amplifier and Dummy load. This performance of Impedance matching box(SWR=1.05) were good specified.
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      This paper develops a High Power RF Amplifier circuit which can produces Low Temperature Plasma. The input signal which has the frequency 13.56[MHz] was forced in the RF circuit designed by the high efficency class C amplifier. Above all the date test...

      This paper develops a High Power RF Amplifier circuit which can produces Low Temperature Plasma. The input signal which has the frequency 13.56[MHz] was forced in the RF circuit designed by the high efficency class C amplifier. Above all the date tested by the trial network, which were close to the computed results on the theory. In order to avoid the overload and impedance mismatching of the Plasma Facilities due to changing factors, this paper shows that this pheonomena could be eleminated by a inserting impedance matching box between RF amplifier and Dummy load. This performance of Impedance matching box(SWR=1.05) were good specified.

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