원자궤도의 선형 결합에 의한 GaAs의 전자 거동에 관한 연구|RISS 상세보기

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アァカサザタダナハバパマヤャラワヮンイィキギシジチヂニヒビピミリウゥクグスズツヅッヌフブプムユュルエェケゲセゼテデヘベペメレオォコゴソゾトドノホボポモヨョロヲ ―

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ⅰ ⅱ ⅲ ⅳ ⅴ ⅵ ⅶ ⅷ ⅸ ⅹ Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ Ⅶ Ⅷ Ⅸ Ⅹ

ا ب ت ث ج ح خ د ذ ر ز س ش ص ض ط ظ ع غ ف ق ک ل م ن ه و ی

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원자궤도의 선형 결합에 의한 GaAs의 전자 거동에 관한 연구 = A Study on the Electron movement of GaAs with Linear Combinations of the individual atomic orbital

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https://www.riss.kr/link?id=E995281

저자

김인성 ; 이경민 ; 양명학 ; 김태언 ; 김선훈 ; 김상택 ; 기현철 ; 고항주 ; 김효진 ; 김회종 ; 전경남
발행기관

한국광학회
발행연도
2008년
작성언어
Korean
자료형태

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다국어 초록 (Multilingual Abstract)

The GaAs has on the direct semiconductor, it is carrier electron stability for moving fast. This characteristic is used to basic materials such as optical device, MOSFET, Transistor, Solar Cell device. A general Ga atom and As atom have been sp3 hybridized orbital structure with combination, shortage and excess of As atom on the state vary as change of electrical conductivity characteristic on the analysis of numerical value.

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The GaAs has on the direct semiconductor, it is carrier electron stability for moving fast. This characteristic is used to basic materials such as optical device, MOSFET, Transistor, Solar Cell device. A general Ga atom and As atom have been sp3 hybri...

The GaAs has on the direct semiconductor, it is carrier electron stability for moving fast. This characteristic is used to basic materials such as optical device, MOSFET, Transistor, Solar Cell device. A general Ga atom and As atom have been sp3 hybridized orbital structure with combination, shortage and excess of As atom on the state vary as change of electrical conductivity characteristic on the analysis of numerical value.