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      KCI등재

      트리플 풀다운 산화물 박막트랜지스터 게이트 드라이버 = Triple Pull-Down Gate Driver Using Oxide TFTs

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      https://www.riss.kr/link?id=A60019149

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      We have developed a new gate driver circuit for liquid crystal displays using oxide thin-film transistors (TFTs). In the new gate driver, negative gate bias is applied to turn off the oxide TFTs because the oxide TFT occasionally has negative threshol...

      We have developed a new gate driver circuit for liquid crystal displays using oxide thin-film transistors (TFTs). In the new gate driver, negative gate bias is applied to turn off the oxide TFTs because the oxide TFT occasionally has negative threshold voltage (VT). In addition, we employed three parallel pull-down TFTs that are turned on in turns to enhance the stability. SPICE simulation showed that the proposed circuit worked successfully covering the VT range of -3 V ~ +6 V And fabrication results confirmed stable operation of the new circuit using oxide TFTs.

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      국문 초록 (Abstract)

      산화물 박막트랜지스터를 이용하여 액정 디스플레이 패널에 내장할 수 있는 새로운 게이트 드라이버 회로를 설계하고 제작하였다. 산화물 박막트랜지스터는 문턱전압이 음의 값을 갖는 경...

      산화물 박막트랜지스터를 이용하여 액정 디스플레이 패널에 내장할 수 있는 새로운 게이트 드라이버 회로를 설계하고 제작하였다. 산화물 박막트랜지스터는 문턱전압이 음의 값을 갖는 경우가 많기 때문에 본 회로에서는 음의 게이트 전압을 인가하여 트랜지스터를 끄는 방법을 적용하였다. 또한 세 개의 풀다운 트랜지스터를 병렬로 배치하고 번갈아 사용하므로 안정적인 동작이 가능하다. 제안한 회로는 트랜지스터의 문턱전압이 -3 V 에서 +6 V인 범위에서 정상적으로 동작하는 것을 시뮬레이션을 통해서 확인하였으며, 실제로 유리 기판 상에 제작하여 안정적으로 동작하는 것을 검증하였다.

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      목차 (Table of Contents)

      • 요약
      • Abstract
      • Ⅰ. 서론
      • Ⅱ. 회로 구조 및 동작
      • Ⅲ. 시뮬레이션 결과
      • 요약
      • Abstract
      • Ⅰ. 서론
      • Ⅱ. 회로 구조 및 동작
      • Ⅲ. 시뮬레이션 결과
      • Ⅳ. 회로 제작 결과
      • Ⅴ. 결론
      • 참고문헌
      • 저자소개
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      참고문헌 (Reference)

      1 임도, "N-Channel 산화물 TFT 기반의 저소비전력 논리 게이트 회로" 대한전자공학회 48 (48): 1-6, 2011

      2 C. Kang, "Integrated Scan Driver with Oxide TFTs Using Floating Gate Method" 25-27, 2011

      3 J. Yoon, "High Efficient P-Type Only Cross-Coupled DC-DC Converter Using Low Temperature Poly-Si (LTPS) TFTs for Mobile Display Applications" 545-548, 2008

      4 Y. Mo, "Amorphous Oxide TFT Backplane for Large Size AMOLED TVs" 1037-1040, 2010

      5 J. Shim, "A Reliable, Low Power, On-Glass Row Driver Using N-type GIZO TFT" 888-891, 2010

      1 임도, "N-Channel 산화물 TFT 기반의 저소비전력 논리 게이트 회로" 대한전자공학회 48 (48): 1-6, 2011

      2 C. Kang, "Integrated Scan Driver with Oxide TFTs Using Floating Gate Method" 25-27, 2011

      3 J. Yoon, "High Efficient P-Type Only Cross-Coupled DC-DC Converter Using Low Temperature Poly-Si (LTPS) TFTs for Mobile Display Applications" 545-548, 2008

      4 Y. Mo, "Amorphous Oxide TFT Backplane for Large Size AMOLED TVs" 1037-1040, 2010

      5 J. Shim, "A Reliable, Low Power, On-Glass Row Driver Using N-type GIZO TFT" 888-891, 2010

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      학술지 이력

      학술지 이력
      연월일 이력구분 이력상세 등재구분
      2014-01-21 학회명변경 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers
      2012-09-01 평가 학술지 통합(등재유지)
      2011-01-01 평가 등재학술지 유지(등재유지) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재학술지 유지(등재유지) KCI등재
      2007-10-04 학술지명변경 한글명 : 전자공학회논문지 - SD</br>외국어명 : SemiconductorandDevices KCI등재
      2007-01-01 평가 등재학술지 유지(등재유지) KCI등재
      2005-01-01 평가 등재학술지 유지(등재유지) KCI등재
      2002-07-01 평가 등재학술지 선정(등재후보2차) KCI등재
      2000-01-01 평가 등재후보학술지 선정(신규평가) KCI등재후보
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