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    We designed the InGaP single-junction solar cell by optimizing thicknesses of p' -type emitter and n-type base layers using a Silvaco ATLAS. The thicknesses of emitter and base layers were optimized at 50 nm and 1 mm, respectively ， leading to the increased conversion efficiency. For the optimized solar cell structure, the Voc= 1.34 V, Jsc= 13.52 ㎃/㎠ and fill factor= 79.1 % were obtained under AM1.5g illumination, exhibiting a conversion efficiency of 14.28%
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    We designed the InGaP single-junction solar cell by optimizing thicknesses of p' -type emitter and n-type base layers using a Silvaco ATLAS. The thicknesses of emitter and base layers were optimized at 50 nm and 1 mm, respectively ， leading to the i...

    We designed the InGaP single-junction solar cell by optimizing thicknesses of p' -type emitter and n-type base layers using a Silvaco ATLAS. The thicknesses of emitter and base layers were optimized at 50 nm and 1 mm, respectively ， leading to the increased conversion efficiency. For the optimized solar cell structure, the Voc= 1.34 V, Jsc= 13.52 ㎃/㎠ and fill factor= 79.1 % were obtained under AM1.5g illumination, exhibiting a conversion efficiency of 14.28%

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    목차 (Table of Contents)

    • Ⅰ. 서론 1
    • Ⅱ. 본론 2
    • 2.1 소자 구조 2
    • 2.2 이론 및 시율례이션 2
    • 2.3 시율례이션 결과 3
    • Ⅰ. 서론 1
    • Ⅱ. 본론 2
    • 2.1 소자 구조 2
    • 2.2 이론 및 시율례이션 2
    • 2.3 시율례이션 결과 3
    • Ⅲ. 결론 4
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