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      InGaAs 반도체 박막의 테라헤르쯔(THz) 발생 및 검출 특성 연구 = A Study on THz Generation and Detection Characteristics of InGaAs Semiconductor Epilayers

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      https://www.riss.kr/link?id=A103606049

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      In this paper, we report THz generation and detection characteristics investigated by InGaAs semiconductor epilayers, as results of a basic study obtained from the InGaAs-based THz transmitter/receiver (Tx/Rx). High-temperature and low-temperature (LT) grown InGaAs epilayers were prepared by the molecular beam epitaxy technique for the characterization of THz generation and detection, respectively, and the surface emission based on the photo-Dember effect was tried for THz generation. THz wave was generated by irradiation of a Ti:Sapphire fs pulse laser (60 ps/83 MHz), and a LT-GaAs Rx was used for the THz detection. The frequency band shown in the spectral amplitudes Fourier-transformed from the measured current signals was ranging in 0.5~2 THz, and the signal currents were exponentially increased with the Tx beam power. The THz detection characteristics of LT-InGaAs were investigated by using an Rx with dipole (5/20 ${\mu}m$) antenna, and the cutoff frequency was ~2 THz.
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      In this paper, we report THz generation and detection characteristics investigated by InGaAs semiconductor epilayers, as results of a basic study obtained from the InGaAs-based THz transmitter/receiver (Tx/Rx). High-temperature and low-temperature (LT...

      In this paper, we report THz generation and detection characteristics investigated by InGaAs semiconductor epilayers, as results of a basic study obtained from the InGaAs-based THz transmitter/receiver (Tx/Rx). High-temperature and low-temperature (LT) grown InGaAs epilayers were prepared by the molecular beam epitaxy technique for the characterization of THz generation and detection, respectively, and the surface emission based on the photo-Dember effect was tried for THz generation. THz wave was generated by irradiation of a Ti:Sapphire fs pulse laser (60 ps/83 MHz), and a LT-GaAs Rx was used for the THz detection. The frequency band shown in the spectral amplitudes Fourier-transformed from the measured current signals was ranging in 0.5~2 THz, and the signal currents were exponentially increased with the Tx beam power. The THz detection characteristics of LT-InGaAs were investigated by using an Rx with dipole (5/20 ${\mu}m$) antenna, and the cutoff frequency was ~2 THz.

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      2014-02-05 학술지명변경 한글명 : 한국진공학회지 -> ASCT
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      2014-01-01 학술지명변경 한글명 : 한국진공학회지 -> Applied Science and Convergence Technology KCI등재
      2013-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2010-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2008-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-05-23 학술지명변경 외국어명 : Journal of the Koren Cacuum Society -> Journal of the Koren Vacuum Society KCI등재
      2005-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.12 0.12 0.15
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.13 0.1 0.328 0.03
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