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Design of 30 nm FinFETs and Double Gate MOSFETs with Halo Structure
Endoh, T.; Sakui, K.; Yasuda, Y. Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2010 p.534-539
Simulation of Gate-All-Around Tunnel Field-Effect Transistor with an n-Doped Layer
Lee, D.S.; Yang, H.-S.; Kang, K.-C.; Lee, J.-E.; Lee, J.H.; Cho, S.; Park, B.-G. Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2010 p.540-545
Synthesis of Small Diameter Silicon Nanowires on SiO~2 and Si~3N~4 Surfaces
Ahn, J.H.; Lee, J.-H.; Koo, T.-W.; Kang, M.; Whang, D.; Hwang, S. Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2010 p.546-551
Study on Quantum Electro-Dynamics in Vertical MOSFET
Muraguchi, M.; Endoh, T. Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2010 p.552-556
Sub-10 nm Multi-Nano-Pillar Type Vertical MOSFET
Endoh, T.; Sakui, K.; Yasuda, Y. Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2010 p.557-562
Muraguchi, M.; Takada, Y.; Nomura, S.; Endoh, T.; Shiraishi, K. Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2010 p.563-568
Random Telegraph Signals in Two-Dimensional Array of Si Quantum Dots
Makihara, K.; Ikeda, M.; Kawanami, A.; Miyazaki, S. Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2010 p.569-572
Itoh, T.; Sano, K.; Fukuyama, H.; Murata, K. Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2010 p.573-578
Dependence of Electrical Properties of InAlN/GaN and InAlN
Hiroki, M.; Maeda, N.; Shigekawa, N. Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2010 p.579-584
InP Gunn Diodes with Current Limiting Contact for High Efficiency Gunn Oscillators
Kim, M.-R.; Rhee, J.-K.; Lee, C.-W.; Chae, Y.-S.; Choi, J.-H.; Kim, W.-J. Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2010 p.585-589
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