후속 열처리에 따른 Pt / SBT / Pt 캐패시터의 강유전 특성과 누설전류 특성

국문 초록 (Abstract)

MOD 공정으로 제조한 SrBi₂.₄Ta₂O_9 (SBT) 박막으로 Pt/SBT/Pt 캐패시터를 형성하여, 400~800℃ 범위에서의 후속 열처리에 따른 강유전 특성 및 누설전류 특성의 변화 거동을 분석하였다. 후속 열처리 전의 SBT 박막은 leaky한 박막의 전형적인 분극이력곡선을 나타내었으나, 550~800℃에서 후속 열처리함에 따라 분극이력 특성이 현저히 향상되어 잘 발달된 강유전 이력곡선을 얻을 수 있었다. Pt/SBT/Pt 캐패시터는 600℃에서 후속 열처리시 잔류분극 2Pr이 9.72 μC/㎠의 최대값을 나타내었으며, 그 이상의 온도에서는 후속 열처리 온도의 증가에 따라 2P_r이 감소하였다. 후속 열처리 전의 SBT 박막은 75 ㎸/㎝의 전계에서 10^(-3) A/㎠의 높은 누설전류밀도를 나타내었으나, 600~800℃에서 후속 열처리함에 따라 누설전류밀도가 10^(-6) A/㎠ 이하로 현저히 감소하였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Pt/SBT/Pt capacitors were fabricated using the MOD-derived SrBi₂.₄Ta₂O_9 (SBT) films, and their ferroelectric and leakage current characteristics were investigated with post annealing at 400~800℃. Although the MOD-derived SBT film exhibited the hysteresis loop typical for the leaky film, the well-saturated ferroelectric hysteresis loop could be obtained by post annealing the Pt/SBT/Pt capacitors at 550~800℃. The remanent polarization 2P_r of the SBT film exhibited a maximum value of 9.72 μC/㎠ with post annealing at 600℃, and then decreased with increasing the post annealing temperature above 600℃. The MOD-derived SBT films exhibited the high leakage current density of ~10^(-3) A/㎠ at 75 ㎸/㎝. With post annealing the Pt/SBT/Pt capacitor at 600~800℃, however, the leakage current density decreased remarkably to less than 10^(-6) A/㎠ at 75 ㎸/㎝.

목차 (Table of Contents)

• 요약
  
• Abstract
  
• 1. 서론
  
• 2. 실험
  
• 3. 결과 및 고찰
  
• 4. 결론
  
• 감사의 글
  
• 참고문헌