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    온도 싸이클링 환경에서 반도체 패키징용 에폭시 필러에 의한 기계적 손상의 원인을 규명하기 위한 실험적 평가와 이론적 분석 = Experimental Analysis and Theoretical Estimation to Address Filler-induced damage in Semiconductor Devices under Thermal Cycling Conditions

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    https://www.riss.kr/link?id=A110191048

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    Experimental work shows how filler-induced pattern damage occurs in semiconductor devices under different thermal-cycling conditions (-55 to 170 °C) and provides theoretical analysis.
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    Experimental work shows how filler-induced pattern damage occurs in semiconductor devices under different thermal-cycling conditions (-55 to 170 °C) and provides theoretical analysis.

    Experimental work shows how filler-induced pattern damage occurs in semiconductor devices under different thermal-cycling conditions (-55 to 170 °C) and provides theoretical analysis.

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