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      Li ion 주입된 Si Diode의 특성에 관한 연구 = A Study on Si Diode

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      https://www.riss.kr/link?id=A2076395

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      Investigation have been performed on the Li+ ion implantation method of producing Si p-n junction diodes. Ion energiesof up to 20keV were usedto get shallow junctions in high sensitivity 5000 ohm-cm Si and uniform implantations with ion concentration of up to 10 ions/cm for Li were secured on a rotating target. Details of the constructions methods and some I-V characteristics of the diodes are presented.
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      Investigation have been performed on the Li+ ion implantation method of producing Si p-n junction diodes. Ion energiesof up to 20keV were usedto get shallow junctions in high sensitivity 5000 ohm-cm Si and uniform implantations with ion concentration ...

      Investigation have been performed on the Li+ ion implantation method of producing Si p-n junction diodes. Ion energiesof up to 20keV were usedto get shallow junctions in high sensitivity 5000 ohm-cm Si and uniform implantations with ion concentration of up to 10 ions/cm for Li were secured on a rotating target. Details of the constructions methods and some I-V characteristics of the diodes are presented.

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      목차 (Table of Contents)

      • Ⅰ. 서론
      • Ⅱ. 실험장치 및 방법
      • Ⅲ. 결과 및 고찰
      • Ⅰ. 서론
      • Ⅱ. 실험장치 및 방법
      • Ⅲ. 결과 및 고찰
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