RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      言論과 平和

      한글로보기

      https://www.riss.kr/link?id=A75014850

      • 0

        상세조회
      • 0

        다운로드
      서지정보 열기
      • 내보내기
      • 내책장담기
      • 공유하기
      • 오류접수

      부가정보

      국문 초록 (Abstract) kakao i 다국어 번역

      言論은 民衆의 意見에 그 기반을 둔다. 이른바 「社會의 木錫」이라는 표현이 그 단적인 표현이다. 平和가 깨어지는 戰爭狀態를 예상할 때, 가장 피해를 크게 입는 것은 아무리 하여도 一般民衆이다. 그러므로 平和를 지향하고 平和를 수호하려는 言論은 平和를 위하여 言論의 自由를 가져야 한다는 結論이 유출되는 것이다.
      번역하기

      言論은 民衆의 意見에 그 기반을 둔다. 이른바 「社會의 木錫」이라는 표현이 그 단적인 표현이다. 平和가 깨어지는 戰爭狀態를 예상할 때, 가장 피해를 크게 입는 것은 아무리 하여도 一般...

      言論은 民衆의 意見에 그 기반을 둔다. 이른바 「社會의 木錫」이라는 표현이 그 단적인 표현이다. 平和가 깨어지는 戰爭狀態를 예상할 때, 가장 피해를 크게 입는 것은 아무리 하여도 一般民衆이다. 그러므로 平和를 지향하고 平和를 수호하려는 言論은 平和를 위하여 言論의 自由를 가져야 한다는 結論이 유출되는 것이다.

      더보기

      다국어 초록 (Multilingual Abstract) kakao i 다국어 번역

      The electrical characteristics of copper films prepared by post-annealing treatments have been investigated. The copper films were deposited on TiN/Si substrates by chemical-vapor deposition in a helium atmosphere and with a substrate temperature between 140℃ and 250℃. The TiN film thickness was 850 nm. The Cu films were annealed in a vacuum of 6×10^(-6) Torr, and the electrical resistivity, the crystallinity, the surface roughness, and the grain size were measured for the Cu films. The electrical resistivity of the Cu films was shown to be reduced by the post-annealing. The best result, an electrical resistivity of 2.0 μΩ·cm, was obtained for the sample deposited at a substrate temperature of 180℃ and vacuum annealed at 300℃. The mechanism of the resistivity variations was studied by using several analysis tools - scanning electron microscopy, atomic force microscopy, X-ray diffractometry, and Auger electron spectroscopy.
      번역하기

      The electrical characteristics of copper films prepared by post-annealing treatments have been investigated. The copper films were deposited on TiN/Si substrates by chemical-vapor deposition in a helium atmosphere and with a substrate temperature betw...

      The electrical characteristics of copper films prepared by post-annealing treatments have been investigated. The copper films were deposited on TiN/Si substrates by chemical-vapor deposition in a helium atmosphere and with a substrate temperature between 140℃ and 250℃. The TiN film thickness was 850 nm. The Cu films were annealed in a vacuum of 6×10^(-6) Torr, and the electrical resistivity, the crystallinity, the surface roughness, and the grain size were measured for the Cu films. The electrical resistivity of the Cu films was shown to be reduced by the post-annealing. The best result, an electrical resistivity of 2.0 μΩ·cm, was obtained for the sample deposited at a substrate temperature of 180℃ and vacuum annealed at 300℃. The mechanism of the resistivity variations was studied by using several analysis tools - scanning electron microscopy, atomic force microscopy, X-ray diffractometry, and Auger electron spectroscopy.

      더보기

      목차 (Table of Contents)

      • 1. 序論
      • 2. 과연 言論은 平和의 旗手인가?
      • 3. 平和 지향의 韓國言論
      • 4. 美國과 日本의 言論
      • 5. 結論
      • 1. 序論
      • 2. 과연 言論은 平和의 旗手인가?
      • 3. 平和 지향의 韓國言論
      • 4. 美國과 日本의 言論
      • 5. 結論
      더보기

      동일학술지(권/호) 다른 논문

      동일학술지 더보기

      더보기

      분석정보

      View

      상세정보조회

      0

      Usage

      원문다운로드

      0

      대출신청

      0

      복사신청

      0

      EDDS신청

      0

      동일 주제 내 활용도 TOP

      더보기

      주제

      연도별 연구동향

      연도별 활용동향

      연관논문

      연구자 네트워크맵

      공동연구자 (7)

      유사연구자 (20) 활용도상위20명

      이 자료와 함께 이용한 RISS 자료

      나만을 위한 추천자료

      해외이동버튼