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    Silicon-on-glass 공정에서 접합력 균일도 향상을 위한 고정단 설계

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    국문 초록 (Abstract) kakao i 다국어 번역

    본 논문은 silicon-on-glass(SOG) 공정에서 접합력 균일도 향상을 위한 고정단 설계에 대한 내용을 다룬다. SOG 공정은 전극이 형성된 유리 기판층과 실리콘 구조층의 양극접합을 기반으로 하며, 가속도 센서와 공진형 센서를 비롯한 고종횡비 구조를 갖는 다양한 실리콘 센서들의 제작에 널리 사용된다. 본 논문에서는 전극과 유리 기판층의 표면 사이에 발생하는 단차로 인한 불균일한 접합을 방지하기 위해, 실리콘 구조층에서 유리 기판층과 접합되는 부분과 전극과 겹쳐지는 부분을 트렌치(trench)를 이용해 분리하는 새로운 형상의 고정단을 제안한다. 본 고정단은 추가적인 공정 없이 기존의 SOG 공정으로 제작되는 디바이스들에 손쉽게 적용이 가능하다.
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    본 논문은 silicon-on-glass(SOG) 공정에서 접합력 균일도 향상을 위한 고정단 설계에 대한 내용을 다룬다. SOG 공정은 전극이 형성된 유리 기판층과 실리콘 구조층의 양극접합을 기반으로 하며, 가...

    본 논문은 silicon-on-glass(SOG) 공정에서 접합력 균일도 향상을 위한 고정단 설계에 대한 내용을 다룬다. SOG 공정은 전극이 형성된 유리 기판층과 실리콘 구조층의 양극접합을 기반으로 하며, 가속도 센서와 공진형 센서를 비롯한 고종횡비 구조를 갖는 다양한 실리콘 센서들의 제작에 널리 사용된다. 본 논문에서는 전극과 유리 기판층의 표면 사이에 발생하는 단차로 인한 불균일한 접합을 방지하기 위해, 실리콘 구조층에서 유리 기판층과 접합되는 부분과 전극과 겹쳐지는 부분을 트렌치(trench)를 이용해 분리하는 새로운 형상의 고정단을 제안한다. 본 고정단은 추가적인 공정 없이 기존의 SOG 공정으로 제작되는 디바이스들에 손쉽게 적용이 가능하다.

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    다국어 초록 (Multilingual Abstract) kakao i 다국어 번역

    In this paper, an anchor design that improves bonding strength uniformity in the silicon-on-glass (SOG) process is presented. The SOG process is widely used in conjunction with electrode-patterned glass substrates as a standard fabrication process for forming high-aspect-ratio movable silicon microstructures in various types of sensors, including inertial and resonant sensors. In the proposed anchor design, a trench separates the silicon-bonded area and the electrode contact area to prevent irregular bonding caused by the protrusion of the electrode layer beyond the glass surface. This technique can be conveniently adopted to almost all devices fabricated by the SOG process without the necessity of additional processes.
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    In this paper, an anchor design that improves bonding strength uniformity in the silicon-on-glass (SOG) process is presented. The SOG process is widely used in conjunction with electrode-patterned glass substrates as a standard fabrication process for...

    In this paper, an anchor design that improves bonding strength uniformity in the silicon-on-glass (SOG) process is presented. The SOG process is widely used in conjunction with electrode-patterned glass substrates as a standard fabrication process for forming high-aspect-ratio movable silicon microstructures in various types of sensors, including inertial and resonant sensors. In the proposed anchor design, a trench separates the silicon-bonded area and the electrode contact area to prevent irregular bonding caused by the protrusion of the electrode layer beyond the glass surface. This technique can be conveniently adopted to almost all devices fabricated by the SOG process without the necessity of additional processes.

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    목차 (Table of Contents)

    • Abstract
    • 초록
    • 1. 서론
    • 2. 설계
    • 3. 제작
    • Abstract
    • 초록
    • 1. 서론
    • 2. 설계
    • 3. 제작
    • 4. 실험
    • 5. 결론
    • 참고문헌
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    참고문헌 (Reference)

    1 Borenstein, J. T, "Silicon Germanium Epitaxy: a New Material for MEMS" 1-, 2000

    2 Cabuz, C., "SOI/Glass Process for Forming Thin Silicon Micromachined Structures"

    3 Sawyer, W. D, "SOI Bonded Wafer Process for High Precision MEMS Inertial Sensors" 15 : 1588-1593, 2005

    4 Yazid, N, "Micromachined Inertial Sensors" 86 : 1640-1659, 1998

    5 Torunbalci, M. M, "Comparison of Two Alternative Silicon-onglass Microfabrication Processes for MEMS Inertial Sensors" XXV : 900-903, 2011

    6 Tez, S., "Comparison of Two Alternative Fabrication Processes for a Three-Axis Capacitive MEMS Accelerometer" 47 : 342-345, 2012

    7 Park, U, "A Micromachined Differential Resonant Accelerometer Based on Robust Structural Design" 129 : 5-11, 2014

    8 Chen, S, "A Method for Fabricating MEMS Accelero-meters" 84-87, 2008

    9 Ding, H, "A High-Resolution Silicon-on-glass z-Axis Gyroscope Operating at Atmospheric Pressure" 10 : 1066-1074, 2010

    10 Alper, S. E, "A Compact Angular Rate Sensor System using a Fully Decoupled Silicon-on-glass MEMS Gyroscope" 17 : 1418-1429, 2008

    1 Borenstein, J. T, "Silicon Germanium Epitaxy: a New Material for MEMS" 1-, 2000

    2 Cabuz, C., "SOI/Glass Process for Forming Thin Silicon Micromachined Structures"

    3 Sawyer, W. D, "SOI Bonded Wafer Process for High Precision MEMS Inertial Sensors" 15 : 1588-1593, 2005

    4 Yazid, N, "Micromachined Inertial Sensors" 86 : 1640-1659, 1998

    5 Torunbalci, M. M, "Comparison of Two Alternative Silicon-onglass Microfabrication Processes for MEMS Inertial Sensors" XXV : 900-903, 2011

    6 Tez, S., "Comparison of Two Alternative Fabrication Processes for a Three-Axis Capacitive MEMS Accelerometer" 47 : 342-345, 2012

    7 Park, U, "A Micromachined Differential Resonant Accelerometer Based on Robust Structural Design" 129 : 5-11, 2014

    8 Chen, S, "A Method for Fabricating MEMS Accelero-meters" 84-87, 2008

    9 Ding, H, "A High-Resolution Silicon-on-glass z-Axis Gyroscope Operating at Atmospheric Pressure" 10 : 1066-1074, 2010

    10 Alper, S. E, "A Compact Angular Rate Sensor System using a Fully Decoupled Silicon-on-glass MEMS Gyroscope" 17 : 1418-1429, 2008

    11 Gianchandani, Y., "A Bulk Silicon Dissolved Wafer Process for Microelectromechanical Devices" 1 : 77-85, 1992

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    2010-01-01 등재 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
    2008-01-01 등재 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
    2006-01-01 등재 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
    2004-01-01 등재 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
    2001-01-01 등재 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
    1998-07-01 등재 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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    2016 0.23 0.23 0.25
    KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
    0.22 0.19 0.552 0.03
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