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    Cu(In,Ga)Se<sub>2</sub> 박막 태양전지 모듈의 ZnO/Mo 계면 접촉저항 측정

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    https://www.riss.kr/link?id=A107286003

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    Cu(In,Ga)Se<sub>2</sub>(CIGS) 흡수층은 원소의 조성을 제어해 밴드갭 에너지를 조절할 수 있으며, 효율은 밴드갭 에너지가 약 1.2eV일 때 최적화되는 것으로 알려져 있다. 1.2eV의 밴드갭 에너지를 갖는 광흡수층을 이용한 태양전지는 개방전압(V<sub>OC</sub>)이 0.7V이하로 제한되므로 태양전지를 직렬로 연결한 모듈을 제작하여 V<sub>OC</sub>를 높힐 수 있다. CIGS 태양전지의 후면전극으로 주로 Mo가 사용되는데, CIGS/Mo 계면은 쇼트키 장벽이 만들어지는 것으로 알려져 있다. 반면 CIGS 흡수층을 만드는 과정에서 MoSe<sub>2</sub>가 형성될 수 있고, 이는 CIGS/Mo 접합을 오믹접합이 되게 하므로 고효율 태양전지 제조를 위해 MoSe<sub>2</sub> 형성은 필수적이다. P2를 기계적 스크라이빙으로 형성하는 과정에서 MoSe<sub>2</sub>를 제거하는 것은 어렵고, 투명전극층(Transparent conducting oxide, TCO)을 증착하면 P2 영역은 TCO/MoSe<sub>2</sub>/Mo 접합이 만들어진다. 본 연구에서는 TCO로 B이 도핑된 ZnO를 사용하였으며, MoSe<sub>2</sub>가 BZO/Mo 접합의 접촉저항에 미치는 영향을 조사하였다.
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    Cu(In,Ga)Se<sub>2</sub>(CIGS) 흡수층은 원소의 조성을 제어해 밴드갭 에너지를 조절할 수 있으며, 효율은 밴드갭 에너지가 약 1.2eV일 때 최적화되는 것으로 알려져 있다. 1.2eV의 밴드갭 에...

    Cu(In,Ga)Se<sub>2</sub>(CIGS) 흡수층은 원소의 조성을 제어해 밴드갭 에너지를 조절할 수 있으며, 효율은 밴드갭 에너지가 약 1.2eV일 때 최적화되는 것으로 알려져 있다. 1.2eV의 밴드갭 에너지를 갖는 광흡수층을 이용한 태양전지는 개방전압(V<sub>OC</sub>)이 0.7V이하로 제한되므로 태양전지를 직렬로 연결한 모듈을 제작하여 V<sub>OC</sub>를 높힐 수 있다. CIGS 태양전지의 후면전극으로 주로 Mo가 사용되는데, CIGS/Mo 계면은 쇼트키 장벽이 만들어지는 것으로 알려져 있다. 반면 CIGS 흡수층을 만드는 과정에서 MoSe<sub>2</sub>가 형성될 수 있고, 이는 CIGS/Mo 접합을 오믹접합이 되게 하므로 고효율 태양전지 제조를 위해 MoSe<sub>2</sub> 형성은 필수적이다. P2를 기계적 스크라이빙으로 형성하는 과정에서 MoSe<sub>2</sub>를 제거하는 것은 어렵고, 투명전극층(Transparent conducting oxide, TCO)을 증착하면 P2 영역은 TCO/MoSe<sub>2</sub>/Mo 접합이 만들어진다. 본 연구에서는 TCO로 B이 도핑된 ZnO를 사용하였으며, MoSe<sub>2</sub>가 BZO/Mo 접합의 접촉저항에 미치는 영향을 조사하였다.

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