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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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Α Β Γ Δ Ε Ζ Η Θ Ι Κ Λ Μ Ν Ξ Ο Π Ρ Σ Τ Υ Φ Χ Ψ Ω α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξ ο π ρ σ τ υ φ χ ψ ω
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      원뿔 형태의 patterned sapphire substrate 위에 성장한 &#945;-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>의 특성분석 = Characterization of alpha-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> epilayers grown on cone-shape patterned sapphire substrate by halide vapor phase epitaxy

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      https://www.riss.kr/link?id=A106355786

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      In this study, we demonstrated a characterization of ${\alpha}-Ga_2O_3$ grown on a cone-shape patterned sapphire substrate by using the halide vapor phase epitaxy. An ${\alpha}-Ga_2O_3$ was grown on different size of PSS and c-plane sapphire substrate for comparison to confirm the effect of PSS. In addition, growth time of ${\alpha}-Ga_2O_3$ was gradually increased to confirm growth mechanism of ${\alpha}-Ga_2O_3$ grown on the PSS. A growth temperature was changed to $470-550^{\circ}C$. It can be analyzed growth conditions and mechanisms on the cone-shape PSS, resulting in a significant decrease in the FWHM value of an asymmetric plane (10-14) of ${\alpha}-Ga_2O_3$, due to lateral growth that occurs during the growth process.
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      In this study, we demonstrated a characterization of ${\alpha}-Ga_2O_3$ grown on a cone-shape patterned sapphire substrate by using the halide vapor phase epitaxy. An ${\alpha}-Ga_2O_3$ was grown on different size of PSS and c-plane sapphire substrate...

      In this study, we demonstrated a characterization of ${\alpha}-Ga_2O_3$ grown on a cone-shape patterned sapphire substrate by using the halide vapor phase epitaxy. An ${\alpha}-Ga_2O_3$ was grown on different size of PSS and c-plane sapphire substrate for comparison to confirm the effect of PSS. In addition, growth time of ${\alpha}-Ga_2O_3$ was gradually increased to confirm growth mechanism of ${\alpha}-Ga_2O_3$ grown on the PSS. A growth temperature was changed to $470-550^{\circ}C$. It can be analyzed growth conditions and mechanisms on the cone-shape PSS, resulting in a significant decrease in the FWHM value of an asymmetric plane (10-14) of ${\alpha}-Ga_2O_3$, due to lateral growth that occurs during the growth process.

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