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      양자우물을 이용한 광탐지기에서 수직으로 입사하는 적외선 흡수에 관한 연구 = Infrared Absortion by Normally Incident Light in Quantum Wells of Photodetectors

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      https://www.riss.kr/link?id=E689827

      • 저자
      • 발행기관
      • 발행연도

        1998년

      • 작성언어

        Korean

      • KDC

        560.000

      • 자료형태

        한국연구재단(NRF)

      • 수록면

        1-64

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      본 연구에서는 먼저 실험으로 Si(110)/Si_1-xGe_x 광탐지기의 특성을 분석하고 이를 이론적으로 해석하였다. Si(110)/Si_1-xGe_x과 같은 비등방성 물질을 사용함으로써 빛의 수직입사가 가능함을 보였다. 도핑 농도의 변화에 의한 다체(many-vody) 효과가 양자 우물의 천이 에너지에 아주 큰 영향을 미쳤음 이를 제대로 해석(설계)하려면 전자간의 산란에 의한 선폭의 영향, 고차의 들뜬 상태의 영향 등을 모두 포함해야 함을 보였다. Ge 조성비의 변화에 따른 광탐지기의 특성을 분석하고 이를 이론적으로 예측하였다. 실험의 흡수 스�트럼에서 자유 전자 흡수 스펙트럼을 제거하기 위한 자유 전자 흡수에 의한 광자의 흡수 계수를 모델링 하였으며 실제로 실험값에서 계산값을 제거한 결과를 이론적으로 구한 전자의 부밴드간 천이에 의한 광자의 흡수 계수와 비교하여 그 적절성을 보였다.
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      본 연구에서는 먼저 실험으로 Si(110)/Si_1-xGe_x 광탐지기의 특성을 분석하고 이를 이론적으로 해석하였다. Si(110)/Si_1-xGe_x과 같은 비등방성 물질을 사용함으로써 빛의 수직입사가 가능함을 보였...

      본 연구에서는 먼저 실험으로 Si(110)/Si_1-xGe_x 광탐지기의 특성을 분석하고 이를 이론적으로 해석하였다. Si(110)/Si_1-xGe_x과 같은 비등방성 물질을 사용함으로써 빛의 수직입사가 가능함을 보였다. 도핑 농도의 변화에 의한 다체(many-vody) 효과가 양자 우물의 천이 에너지에 아주 큰 영향을 미쳤음 이를 제대로 해석(설계)하려면 전자간의 산란에 의한 선폭의 영향, 고차의 들뜬 상태의 영향 등을 모두 포함해야 함을 보였다. Ge 조성비의 변화에 따른 광탐지기의 특성을 분석하고 이를 이론적으로 예측하였다. 실험의 흡수 스�트럼에서 자유 전자 흡수 스펙트럼을 제거하기 위한 자유 전자 흡수에 의한 광자의 흡수 계수를 모델링 하였으며 실제로 실험값에서 계산값을 제거한 결과를 이론적으로 구한 전자의 부밴드간 천이에 의한 광자의 흡수 계수와 비교하여 그 적절성을 보였다.

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      목차 (Table of Contents)

      • 초록문
      • 제1장 서론
      • 제2장 양자우물에서의 광자의 흡수 과정의 이론적 모델링
      • 제3장 실험 결과 및 분석
      • 제4장 결론
      • 초록문
      • 제1장 서론
      • 제2장 양자우물에서의 광자의 흡수 과정의 이론적 모델링
      • 제3장 실험 결과 및 분석
      • 제4장 결론
      • 부록
      • 참고문헌
      • 발표(예정) 논문 및 초록
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