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Semiconductor devices for RF applications: evolution and current status
Schwierz, F. Pergamon; 1999 2001 p.145-168
De Souza, M. M. Pergamon; 1999 2001 p.169-177
Investigation of the surface silica layer on porous poly-Si thin films
Wong, H. Pergamon; 1999 2001 p.179-184
X-ray and UV controlled adjustment of MOS VLSI circuits threshold voltages
Levin, M. N. Pergamon; 1999 2001 p.185-191
Unifying the thermal-chemical and anode-hole-injection gate-oxide breakdown models
Cheung, K. P. Pergamon; 1999 2001 p.193-199
Hsu, C. T. Pergamon; 1999 2001 p.201-209
Neutron-induced 10B fission as a major source of soft errors in high density SRAMs
Baumann, R. C. Pergamon; 1999 2001 p.211-218
Bubennikov, A. N. Pergamon; 1999 2001 p.219-228
Harsanyi, G. Pergamon; 1999 2001 p.229-237
Schuster, C. E. Pergamon; 1999 2001 p.239-252
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