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이 학술지의 논문 검색
The TDDB power-law model—Physics and experimental evidences
Vollertsen, R. P.; Miranda, E. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.1807-1808
Power-law voltage acceleration: A key element for ultra-thin gate oxide reliability
Wu, E. Y.; Suñé, J. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.1809-1834
Voltage acceleration of time-dependent breakdown of ultra-thin gate dielectrics
Pompl, T.; Röhner, M. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.1835-1841
Ribes, G.; Bruyère, S.; Denais, M.; Monsieur, F.; Huard, V.; Roy, D.; Ghibaudo, G. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.1842-1854
Physical model for the power-law voltage and current acceleration of TDDB
Haggag, A.; Liu, N.; Menke, D.; Moosa, M. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.1855-1860
Is the power-law model applicable beyond the direct tunneling regime?
Duschl, R.; Vollertsen, R. P. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.1861-1867
A statistical approach to characterizing the reliability of systems utilizing HBT devices
Chen, Y.; Wang, Q.; Kayali, S. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.1869-1874
Metal defect yield and reliability relationships
Roesch, W. J.; Hamada, D. J. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.1875-1881
Whitman, C.; Meeder, M. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.1882-1893
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