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    ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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    Ⅲ-V 화합물 반도체에 대한 오믹접촉 = Ohmic Contact Systems for Ⅲ-V Compound Semiconductors

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    https://www.riss.kr/link?id=A99694874

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    Ohmic mechanisms of metal/semiconductor contacts were reviewed and ohmic contact systems for III-V compound semiconductors were surveyed. This paper also reviewed the conduction currents by the thermionic emission, thermionic-field emission, field emission, recombination in the space charge region and hole injection. The ohmic contacts on GaAs, InGaAs and InP were examined through surveying the papers and patents.
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    Ohmic mechanisms of metal/semiconductor contacts were reviewed and ohmic contact systems for III-V compound semiconductors were surveyed. This paper also reviewed the conduction currents by the thermionic emission, thermionic-field emission, field emi...

    Ohmic mechanisms of metal/semiconductor contacts were reviewed and ohmic contact systems for III-V compound semiconductors were surveyed. This paper also reviewed the conduction currents by the thermionic emission, thermionic-field emission, field emission, recombination in the space charge region and hole injection. The ohmic contacts on GaAs, InGaAs and InP were examined through surveying the papers and patents.

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