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    ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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    Avalanche Electron Trapping에 의한 건식산화막의 두께의존성에 관한 연구 = A Study on Thickness Dependence of Dry Oxides by Avalanche Electron Trapping

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    https://www.riss.kr/link?id=A75002579

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    In MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitors with the dry oxide grown thermally, the avalanche electron trapping behavior has been measured as a faction of thickness at 110℃.
    Flat-band voltage shifts △V_(FB) is dependent on oxide thickness d_(ox)^(2) for dry oxide samples subjected to PMA(postmetalization annealing). This result, and supporting evidence from photo I-V measurments, indicatedthat electron trapping centers were distributed uniformly throughout the oxide layer. For the dry oxides, which were not given PMA, △V_(FB) scaled approximately as d_(ox), and the trapped charge centroid, determined from photo I-V measurements on several 900Å thick samples, was ∼0.32d_(ox).

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    In MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitors with the dry oxide grown thermally, the avalanche electron trapping behavior has been measured as a faction of thickness at 110℃. Flat-band voltage shifts △V_(FB) is dependent on oxide thickness d_(ox...

    In MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitors with the dry oxide grown thermally, the avalanche electron trapping behavior has been measured as a faction of thickness at 110℃.
    Flat-band voltage shifts △V_(FB) is dependent on oxide thickness d_(ox)^(2) for dry oxide samples subjected to PMA(postmetalization annealing). This result, and supporting evidence from photo I-V measurments, indicatedthat electron trapping centers were distributed uniformly throughout the oxide layer. For the dry oxides, which were not given PMA, △V_(FB) scaled approximately as d_(ox), and the trapped charge centroid, determined from photo I-V measurements on several 900Å thick samples, was ∼0.32d_(ox).

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    목차 (Table of Contents)

    • 목차
    • Ⅰ. 서론 = 185
    • Ⅱ. 실험 = 186
    • Ⅲ. 결과 및 논의 = 187
    • Ⅳ. 결론 = 193
    • 목차
    • Ⅰ. 서론 = 185
    • Ⅱ. 실험 = 186
    • Ⅲ. 결과 및 논의 = 187
    • Ⅳ. 결론 = 193
    • * 참고문헌 = 195
    • * Abstract = 196
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