상압화학기상 증착법에 의한 반도체탄소나노튜브의 성장과 $300^{\circ}C$ 대기에서의 산화열처리 효과 = The semiconductor carbon nanotube growth with atmosphere pressure chemical vapor deposition method and oxidation effect at $300^{\circ}C$ in air

국문 초록 (Abstract)

[ $SiO_2$ ]로 산화된 웨이퍼 위에 상압화학기상증착 기술로 반도체 탄소나노튜브를 성장했으며, 이 나노튜브의 전기적 특성을 조사하였다. 전기적 특성은 반도체 탄소나노튜뷰를 $300^{\circ}C$, 대기 중에서 산화 열처리 시간을 변화시키면서 상온대기에서 측정하였다. 반도체 탄소나노튜브는 $300^{\circ}C$에서 산화 열처리 시간을 증가할수록 점차적으로 금속 탄소나노튜브로 변형되는 것을 보았다. 탄소나노튜브는 $300^{\circ}C$, 대기에서 6시간 동안 산화 열처리 후 표면의 일부가 없어지는 현상을 투과 전자현미경으로 확인하였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Semiconductor carbon nanotube was grown on oxided silicon wafer with atmosphere pressure chemical vapor deposition (APCVD) method and investigated the electrical property after thermal oxidation at $300^{\circ}C$ in air. The electrical property was measured at room temperature in air after thermal oxidation at $300^{\circ}C$ for various times in air. Semiconductor carbon nanotube was steadily changed to metallic carbon nanotube as increasing of thermal oxidation times at $300^{\circ}C$ in air. Some removed area of carbon nanotube surface was shown with transmission electron microscopy (TEM) after thermal oxidation for 6 hours at $300^{\circ}C$ in air.