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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      AlAs/GaAs 초격자 구조에서 장벽두께에 따른 물리적 특성 연구

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      https://www.riss.kr/link?id=A75004723

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      AlAs/GaAs 초격자에 대한 Photoluminescence(PL) 측정을 하였다. AlAs/GaAs 초격자내의 다양자 우물에 의한 PL 피크는 장벽의 두께에 따라서 다른 full width halfmaximun(FWHM)을 보인다. 장벽의 두께에 따른 AlAs/GaAs 초격자의 전자 전도 현상을 AlAs/GaAs 초격자 다이오드의 전류 전압 특성을 측정하여 관찰하였다. 세 시료의 전류 전압 특성 곡선은 동일한 형태를 나타낸다. 측정된 결과는 이론적인 계산값과 일치하는 경향을 보인다.

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      AlAs/GaAs 초격자에 대한 Photoluminescence(PL) 측정을 하였다. AlAs/GaAs 초격자내의 다양자 우물에 의한 PL 피크는 장벽의 두께에 따라서 다른 full width halfmaximun(FWHM)을 보인다. 장벽의 두께에 따른 AlAs/...

      AlAs/GaAs 초격자에 대한 Photoluminescence(PL) 측정을 하였다. AlAs/GaAs 초격자내의 다양자 우물에 의한 PL 피크는 장벽의 두께에 따라서 다른 full width halfmaximun(FWHM)을 보인다. 장벽의 두께에 따른 AlAs/GaAs 초격자의 전자 전도 현상을 AlAs/GaAs 초격자 다이오드의 전류 전압 특성을 측정하여 관찰하였다. 세 시료의 전류 전압 특성 곡선은 동일한 형태를 나타낸다. 측정된 결과는 이론적인 계산값과 일치하는 경향을 보인다.

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      목차 (Table of Contents)

      • 목차
      • Ⅰ. 서론 = 66
      • Ⅱ. 본론 = 67
      • Ⅲ. 실험 장치 및 방법 = 71
      • Ⅳ 결과 및 논의 = 72
      • 목차
      • Ⅰ. 서론 = 66
      • Ⅱ. 본론 = 67
      • Ⅲ. 실험 장치 및 방법 = 71
      • Ⅳ 결과 및 논의 = 72
      • Ⅴ. 결론 = 76
      • 參考文獻 = 77
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