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      Post-CMP Cleaning에서 PVA 브러시 오염이 세정 효율에 미치는 영향 = Effect of PVA Brush Contamination on Post-CMP Cleaning Performance

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      https://www.riss.kr/link?id=A101053172

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      PVA (polyvinyl alcohol) brush cleaning method is a typical cleaning method for semiconductor cleaning process especially post-CMP cleaning. PVA brush contacts with the wafer surface and abrasive particle, generating the contact rotational torque of th...

      PVA (polyvinyl alcohol) brush cleaning method is a typical cleaning method for semiconductor cleaning process especially post-CMP cleaning. PVA brush contacts with the wafer surface and abrasive particle, generating the contact rotational torque of the brush, which is the removal mechanism. The brush rotational torque can overcome theoretically the adhesion force generated between the abrasive particle and wafer by zeta potential. However, after CMP (chemical mechanical polishing) process, many particles remained on the wafer because the brush was contaminated in previous post-CMP cleaning step. The abrasive particle on the brush redeposits to the wafer. The level of the brush contamination increased according to the cleaning run time. After cleaning the brush, the level of wafer contamination dramatically decreased. Therefore, the brush cleanliness effect on the cleaning performance and it is important for the brush to be maintained clearly.

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      참고문헌 (Reference)

      1 "www.burshtek.co.kr"

      2 Kern W., "The evolution of silicon wafer cleaning technology" 137 : 1887-, 1990

      3 S. Wolf, "Silicon processing for the VLSI Era" 1 : 125-, 2000

      4 A. A. Busnaina, "Particle adhesion and removal mechanism in Post-CMP cleaning processes" 15 (15): 374-, 2002

      5 이우선, "Non-contact post-CMP cleaning에 대한 평가와 기존 scrubbing cleaning과의 비교" 12 (12): 35-, 1999

      6 Amick J. A., "Cleanliness and the cleaning of silicon wafers" 19 : 47-, 1976

      7 Heroux J. B., "CO2 lazer-assisted removal of submicron particles from solid surfaces" 79 : 2857-, 1996

      8 박래학, "CMP post cleaning" 12 (12): 29-, 1999

      1 "www.burshtek.co.kr"

      2 Kern W., "The evolution of silicon wafer cleaning technology" 137 : 1887-, 1990

      3 S. Wolf, "Silicon processing for the VLSI Era" 1 : 125-, 2000

      4 A. A. Busnaina, "Particle adhesion and removal mechanism in Post-CMP cleaning processes" 15 (15): 374-, 2002

      5 이우선, "Non-contact post-CMP cleaning에 대한 평가와 기존 scrubbing cleaning과의 비교" 12 (12): 35-, 1999

      6 Amick J. A., "Cleanliness and the cleaning of silicon wafers" 19 : 47-, 1976

      7 Heroux J. B., "CO2 lazer-assisted removal of submicron particles from solid surfaces" 79 : 2857-, 1996

      8 박래학, "CMP post cleaning" 12 (12): 29-, 1999

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      2020-01-01 평가 등재학술지 유지 (재인증) KCI등재
      2017-01-01 평가 등재학술지 유지 (계속평가) KCI등재
      2013-01-01 평가 등재 1차 FAIL (등재유지) KCI등재
      2010-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2008-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2006-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-05-30 학회명변경 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers KCI등재
      2004-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2001-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      1998-07-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.13 0.13 0.13
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.14 0.14 0.247 0.06
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