저차원 나노 반도체 소재 기반 플렉서블 스트레인 센서 = Flexible strain sensor based on low-dimensional nano-semiconductor materials

목차 (Table of Contents)

• 제1장 서론 1
• 1.1. 개요 1
• 1.2. 반도체 소자 개요 1
• 1.2.1. MoS2 3
• 1.2.2 PdSe2 4
• 제2장 이론적 배경 6
• 2.1. Semiconductor Electronics 6
• 2.2. Van der Waals force 10
• 2.3. I-V 커브 특성 ․ 11
• 2.3.1. 이상적인 저항기의 I-V 특성 곡선 12
• 2.3.2. I-V 반도체 특성 곡선 13
• 제3장 실험 부문 16
• 3.1. 실험방법 16
• 3.1.1. 장치 제작 16
• 3.1.2. 포토리소그래피 (Photolithography) 18
• 3.1.3. 스퍼터링 (Sputtering) 20
• 3.1.4. Lift-Off 24
• 3.2. 스트레인 센서 원리 26
• 3.3. 벤딩 테스트 설정 및 측정 28
• 3.3. 실험 결과 30
• 3.4.1. Metal (Ag) 30
• 3.4.2. MoS2 32
• 3.4.3. PdSe2 35
• 제4장 고찰 및 결론 37
• 4.1. 고찰 37
• 4.2. 결론 39
• 참고문헌 40