Si(111) 기판위에 성장한 AlN의 두께 및 열처리 온도에 따른 표면 거칠기 변화 = A Roughness Analysis of AlN Grown on a Si(111) Substrate at Different Thickness and Annealing Temperatures

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

We studied the roughness of Aluminum nitride(AlN) films for various of thicknesses and annealing temperatures. The AlN films were deposited on Si(111) substrates by RF sputtering, followed by RTA (rapid thermal annealing). The AlN films were deposited for 13, 25, and 35 min; then, the samples were annealed at 300, 500, 700, and 900℃, respectively. The roughness was measured by using AFM (atomic force microscopy). The measurements were carried out in air at room temperature. The roughness increased with the thickness, and the result was compared with the PSDF (power spectral density function). The grains present in the AlN films were square shaped, independent of the annealing temperatures. We present a model to explain the cubic AlN bonding configuration.

국문 초록 (Abstract)

본 연구에서는 Si(111)기판 위에 증착된 Aluminum nitride(AlN) 버퍼층의
증착 두께와 열처리 온도 변화에 따른 거칠기의 변화를 알아보았다. RF
Sputter를 이용하여 AlN 버퍼층을 Si(111) 기판 위에 증착시켰고,
RTA(rapid thermal annealing)을 이용하여 열처리하였다. Sputtering
시간은 각각 13분, 25분, 35분이었으며 열처리 온도는 300
℃~900℃까지 변화시켰다 AFM(atomic force
microscopy)를 이용하여 거칠기를 관찰하였고 그 결과 박막의 두께가
증가할수록 거칠기가 증가하였고 온도는 300℃까지는 표면
거칠기가 감소하다가 그 후로는 증가함을 확인할 수 있었다 cubic AlN에
대한 모델을 제시하였고 PSDF(power spectral density function)을
도입하여 실험값과 이론 값을 비교하여 보았다.

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