RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      KCI등재 SCI SCIE SCOPUS

      Electroreflectance and Photoluminescence Study on InGaN Alloys

      한글로보기

      https://www.riss.kr/link?id=A104321993

      • 0

        상세조회
      • 0

        다운로드
      서지정보 열기
      • 내보내기
      • 내책장담기
      • 공유하기
      • 오류접수

      부가정보

      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      Photoluminescence (PL) and electrore°ectance (ER)measurements on In-rich InxGa1¡xN .lms grown by using metal-organic chemical vapor deposition at 640 ±C and 670 ±C were performed.
      Franz-Keldysh Oscillations (FKO's) were observed in the ER spectra. The analysis of the FKO's shows phase separation of InN for the In0:8Ga0:2N .lm, regardless of the growth temperature, whereas in the PL spectrum multiple peaks were resolved only in the sample grown at 640 ±C.
      This indicates that phase separation exists in this kind of In-rich InGaN alloy independent of the growth temperature. From a deconvolution of the FKO signal in the ER spectra, the bandgap energy of In-rich InxGa1¡xN could be estimated. The dependence of the bandgap energy of the InxGa1¡xN alloy on the In composition (x) was obtained from this information.
      번역하기

      Photoluminescence (PL) and electrore°ectance (ER)measurements on In-rich InxGa1¡xN .lms grown by using metal-organic chemical vapor deposition at 640 ±C and 670 ±C were performed. Franz-Keldysh Oscillations (FKO's) were observed in the ER spectra...

      Photoluminescence (PL) and electrore°ectance (ER)measurements on In-rich InxGa1¡xN .lms grown by using metal-organic chemical vapor deposition at 640 ±C and 670 ±C were performed.
      Franz-Keldysh Oscillations (FKO's) were observed in the ER spectra. The analysis of the FKO's shows phase separation of InN for the In0:8Ga0:2N .lm, regardless of the growth temperature, whereas in the PL spectrum multiple peaks were resolved only in the sample grown at 640 ±C.
      This indicates that phase separation exists in this kind of In-rich InGaN alloy independent of the growth temperature. From a deconvolution of the FKO signal in the ER spectra, the bandgap energy of In-rich InxGa1¡xN could be estimated. The dependence of the bandgap energy of the InxGa1¡xN alloy on the In composition (x) was obtained from this information.

      더보기

      동일학술지(권/호) 다른 논문

      분석정보

      View

      상세정보조회

      0

      Usage

      원문다운로드

      0

      대출신청

      0

      복사신청

      0

      EDDS신청

      0

      동일 주제 내 활용도 TOP

      더보기

      주제

      연도별 연구동향

      연도별 활용동향

      연관논문

      연구자 네트워크맵

      공동연구자 (7)

      유사연구자 (20) 활용도상위20명

      인용정보 인용지수 설명보기

      학술지 이력

      학술지 이력
      연월일 이력구분 이력상세 등재구분
      2023 평가예정 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가)
      2020-01-01 평가 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) KCI등재
      2011-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2007-01-01 평가 SCI 등재 (등재유지) KCI등재
      2005-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2002-07-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      2000-01-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
      더보기

      학술지 인용정보

      학술지 인용정보
      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.47 0.15 0.31
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.26 0.2 0.26 0.03
      더보기

      이 자료와 함께 이용한 RISS 자료

      나만을 위한 추천자료

      해외이동버튼