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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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§ ※ ☆ ★ ○ ● ◎ ◇ ◆ □ ■ △ ▽ → ← ↑ ↓ ↔ 〓 ◁ ◀ ▷ ▶ ♤ ♠ ♡ ♥ ♧ ♣ ⊙ ◈ ▣ ◐ ◑ ▒ ▤ ▥ ▨ ▧ ▦ ▩ ♨ ☏ ☎ ☜ ☞ † ‡ ↕ ↗ ↙ ↖ ↘ ♭ ♩ ♪ ♬ ㉿ ㈜ № ㏇ ™ ㏂ ㏘ ℡ ＃ ＆ ＊ ＠ ª º
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      KCI등재 SCI SCIE SCOPUS

      Electroreflectance and Photoluminescence Study on InGaN Alloys

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      https://www.riss.kr/link?id=A104321993

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      Photoluminescence (PL) and electrore°ectance (ER)measurements on In-rich InxGa1¡xN .lms grown by using metal-organic chemical vapor deposition at 640 ±C and 670 ±C were performed.
      Franz-Keldysh Oscillations (FKO's) were observed in the ER spectra. The analysis of the FKO's shows phase separation of InN for the In0:8Ga0:2N .lm, regardless of the growth temperature, whereas in the PL spectrum multiple peaks were resolved only in the sample grown at 640 ±C.
      This indicates that phase separation exists in this kind of In-rich InGaN alloy independent of the growth temperature. From a deconvolution of the FKO signal in the ER spectra, the bandgap energy of In-rich InxGa1¡xN could be estimated. The dependence of the bandgap energy of the InxGa1¡xN alloy on the In composition (x) was obtained from this information.
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      Photoluminescence (PL) and electrore°ectance (ER)measurements on In-rich InxGa1¡xN .lms grown by using metal-organic chemical vapor deposition at 640 ±C and 670 ±C were performed. Franz-Keldysh Oscillations (FKO's) were observed in the ER spectra...

      Photoluminescence (PL) and electrore°ectance (ER)measurements on In-rich InxGa1¡xN .lms grown by using metal-organic chemical vapor deposition at 640 ±C and 670 ±C were performed.
      Franz-Keldysh Oscillations (FKO's) were observed in the ER spectra. The analysis of the FKO's shows phase separation of InN for the In0:8Ga0:2N .lm, regardless of the growth temperature, whereas in the PL spectrum multiple peaks were resolved only in the sample grown at 640 ±C.
      This indicates that phase separation exists in this kind of In-rich InGaN alloy independent of the growth temperature. From a deconvolution of the FKO signal in the ER spectra, the bandgap energy of In-rich InxGa1¡xN could be estimated. The dependence of the bandgap energy of the InxGa1¡xN alloy on the In composition (x) was obtained from this information.

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      학술지 인용정보

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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.47 0.15 0.31
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.26 0.2 0.26 0.03
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