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      KCI등재 SCIE SCOPUS

      Study on the Impact of Silicon Doping Level on the Trench Profile Using Metal-Assisted Chemical Etching

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      https://www.riss.kr/link?id=A105872730

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      Metal-assisted chemical etching (MACE) has been used as a promising alternativemethod to fabricate micro/nano-structures on silicon substrates inexpensively. In thispaper, profiles of deep trenches on silicon substrates, with different doping levels,f...

      Metal-assisted chemical etching (MACE) has been used as a promising alternativemethod to fabricate micro/nano-structures on silicon substrates inexpensively. In thispaper, profiles of deep trenches on silicon substrates, with different doping levels,fabricated by MACE were studied. A layer of interconnected gold islands was firstdeposited onto the silicon substrate as catalyst. Electrochemical etching was thenperformed in a hydrofluoric acid (HF) and hydrogen peroxide (H2O2) mixturesolution with different HF-to-H2O2 ratio ρ (ρ = [HF]/([HF] + [H2O2])). Vertical deeptrenches were fabricated successfully by using this method. It was observed thateven under identical experimental condition, sidewalls with various tilting anglesand different morphology could still form on silicon substrates with differentresistivity. This possibly because with different resistivity silicon substrate, thegradient of holes in it greatly changed, and so did the final morphology. As a result,the tilting angle of etched trench sidewall can be tuned from 6 ° to 96 ° using siliconsubstrates with different resistivity and etchants with different ρ. By applying theangle-tuning technique revealed in this study, high aspect ratio patterns with verticalsidewalls could be fabricated and three-dimensional complex structures could bedesigned and realized in the future.

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      참고문헌 (Reference)

      1 D. Hernandez, 87 : 1458-, 2010

      2 Z. Huang, 114 : 10683-, 2010

      3 K. Q. Peng, 132 : 6872-, 2010

      4 Y. Cui, 293 : 1289-, 2001

      5 B. R. Murthy, 24 : 723-, 2008

      6 K. Peng, 93 : 033105-, 2008

      7 A. I. Hochbaum, 451 : 163-, 2008

      8 A. Snigirev, 186 : 012072-, 2009

      9 J. Bondur, 13 : 1023-, 1976

      10 M. Ahn, 25 : 2593-, 2007

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      9 J. Bondur, 13 : 1023-, 1976

      10 M. Ahn, 25 : 2593-, 2007

      11 V. Lehmann, 137 : 653-, 1990

      12 V. Lehmann, 297 : 13-, 1997

      13 H. Föll, 39 : 93-, 2002

      14 P. Lianto, 4 : 7532-, 2012

      15 L. Li, 6 : 575-, 2013

      16 Z. Huang, 23 : 285-, 2011

      17 X. Li, 77 : 2572-, 2000

      18 M. L. Zhang, 112 : 4444-, 2008

      19 M. Lajvardi, 75 : 136-, 2016

      20 C. Y. Chen, 333 : 152-, 2015

      21 S. Cruz, 152 : C418-, 2005

      22 J. Huang, 22 : 4111-, 2010

      23 M. D. Kelzenberg, 9 : 239-, 2010

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      학술지등록 한글명 : Electronic Materials Letters
      외국어명 : Electronic Materials Letters
      2023 평가예정 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가)
      2020-01-01 평가 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) KCI등재
      2013-10-01 평가 등재학술지 선정 (기타) KCI등재
      2011-01-01 평가 등재후보학술지 유지 (기타) KCI등재후보
      2009-12-29 학회명변경 한글명 : 대한금속ㆍ재료학회 -> 대한금속·재료학회 KCI등재후보
      2008-01-01 평가 SCIE 등재 (신규평가) KCI등재후보
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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 1.68 0.41 1.08
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.89 0.83 0.333 0.06
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