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      A Novel Chemical Route to Atomic Layer Deposition of ZnS Thin Film from Diethylzinc and 1,5-Pentanedithiol

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      https://www.riss.kr/link?id=A105078757

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      This study describes a novel chemical route to grow ZnS thin films via atomic layer deposition (ALD). By using diethylzinc and 1,5-pentanedithiol as precursors of Zn and S, respectively, ZnS films are grown on substrates with an atomic precision by repeating self-limiting chemisorption of each precursor. The growth-per-cycle of the ALD process is around 0.1 Å per cycle at 150°C, and the as-grown films are characterized to be amorphous ZnS by X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy.
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      This study describes a novel chemical route to grow ZnS thin films via atomic layer deposition (ALD). By using diethylzinc and 1,5-pentanedithiol as precursors of Zn and S, respectively, ZnS films are grown on substrates with an atomic precision by re...

      This study describes a novel chemical route to grow ZnS thin films via atomic layer deposition (ALD). By using diethylzinc and 1,5-pentanedithiol as precursors of Zn and S, respectively, ZnS films are grown on substrates with an atomic precision by repeating self-limiting chemisorption of each precursor. The growth-per-cycle of the ALD process is around 0.1 Å per cycle at 150°C, and the as-grown films are characterized to be amorphous ZnS by X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy.

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      참고문헌 (Reference)

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      6 R. L. Puurunen, 97 : 121301-, 2005

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      9 J. R. Bakke, 30 : 01A135-1-, 2012

      10 C. J. Thompson, 74 : 3287-, 1952

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      12 J. T. Tanskanen, 26 : 11899-, 2010

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      2016 0.58 0.11 0.38
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.28 0.23 0.213 0.04
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