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    § ※ ☆ ★ ○ ● ◎ ◇ ◆ □ ■ △ ▽ → ← ↑ ↓ ↔ 〓 ◁ ◀ ▷ ▶ ♤ ♠ ♡ ♥ ♧ ♣ ⊙ ◈ ▣ ◐ ◑ ▒ ▤ ▥ ▨ ▧ ▦ ▩ ♨ ☏ ☎ ☜ ☞ † ‡ ↕ ↗ ↙ ↖ ↘ ♭ ♩ ♪ ♬ ㉿ ㈜ № ㏇ ™ ㏂ ㏘ ℡ ＃ ＆ ＊ ＠ ª º
    ⅰ ⅱ ⅲ ⅳ ⅴ ⅵ ⅶ ⅷ ⅸ ⅹ Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ Ⅶ Ⅷ Ⅸ Ⅹ
    ا ب ت ث ج ح خ د ذ ر ز س ش ص ض ط ظ ع غ ف ق ک ل م ن ه و ی
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    電力 VDMOSFET의 VGS와 VDS電壓 檢出에 의한 溫度測定

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    https://www.riss.kr/link?id=T1990988

    • 저자
    • 발행사항

      광주: 朝鮮大學校, 1987. -

    • 학위논문사항

      학위논문(석사) -- 朝鮮大學校 大學院 , 電氣工學科 , 1987

    • 발행연도

      1987

    • 작성언어

      한국어

    • 주제어
    • DDC

      621.381548

    • 발행국(도시)

      전라남도

    • 형태사항

      iv,28p.: 삽도; 26cm

    • 소장기관
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    Power VDMOSFET(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) are used extensively in recent years in various circuit applications.
    Because power MOSFETs are relatively new devices and because they are still in a state of evolution, measurement method for characterizing many of their important electrical and thermal properties are in a rudimentary phase.
    One of the most important parameters of any semiconductor device is its operating temperature. The operating temperature is important in determining the reliability and operating life of the device, and it also has a strong influence on many of the electrical pramaters of the device.
    The temperature variation of the drain current at a fixed bias shows both positive and negative resistance characteristics depending on the gate threhold voltage and gate to source bias voltage.
    In this study, the decision method of the internal temperature measurement of power MOSFET by V_(GS) (Gate-Source Voltage) and V_(DS) (Drain-Source Voltage) methods are presented.
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    Power VDMOSFET(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) are used extensively in recent years in various circuit applications. Because power MOSFETs are relatively new devices and because they are still in a state of...

    Power VDMOSFET(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) are used extensively in recent years in various circuit applications.
    Because power MOSFETs are relatively new devices and because they are still in a state of evolution, measurement method for characterizing many of their important electrical and thermal properties are in a rudimentary phase.
    One of the most important parameters of any semiconductor device is its operating temperature. The operating temperature is important in determining the reliability and operating life of the device, and it also has a strong influence on many of the electrical pramaters of the device.
    The temperature variation of the drain current at a fixed bias shows both positive and negative resistance characteristics depending on the gate threhold voltage and gate to source bias voltage.
    In this study, the decision method of the internal temperature measurement of power MOSFET by V_(GS) (Gate-Source Voltage) and V_(DS) (Drain-Source Voltage) methods are presented.

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    목차 (Table of Contents)

    • 목차 = ⅰ
    • ABSTRACT = ⅲ
    • 1. 서론 = 1
    • 2. 전력 MOSFET의 구조 = 2
    • 2-1. VDMOSFET (Vertical Double - Diffused MOSFET) = 2
    • 목차 = ⅰ
    • ABSTRACT = ⅲ
    • 1. 서론 = 1
    • 2. 전력 MOSFET의 구조 = 2
    • 2-1. VDMOSFET (Vertical Double - Diffused MOSFET) = 2
    • 2-2. V-groove MOSFET = 3
    • 2-3. Lateral Power DMOSFET (LDMOSFET) = 5
    • 3. MOSFET의 정특성 = 7
    • 3-1. 선형 동작영역 = 7
    • 3-2. 포화영역 = 10
    • 4. 전력MOSFET 내부온도 측정조건 = 13
    • 5. 전력MOSFET 온도측정방법 = 15
    • 5-1. V_(DS)전압 검출에 의한 온도측정법 = 16
    • 5-2. V_(GS)전압검출에 의한 온도측정법 = 18
    • 6. 실험결과 = 19
    • 7. 결론 = 26
    • 참고문헌 = 28
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