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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      저압의 유기금속 화학증착법에 의해 성장된 Ta₂O5 박막의 계면물성 = Interfacial Propeties of Ta₂O5 Thin Films by LPMOCVD

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      https://www.riss.kr/link?id=A2029334

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      High quality Ta₂O? dielectric films were deposited by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition (LPMO-CVD) from Ta(OC₂H?)? and oxygen. The microstructure and Ta₂O?/SiO₂/Si interfacial properties were investigated by XRD, SIMS, SNMS...

      High quality Ta₂O? dielectric films were deposited by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition (LPMO-CVD) from Ta(OC₂H?)? and oxygen.
      The microstructure and Ta₂O?/SiO₂/Si interfacial properties were investigated by XRD, SIMS, SNMS, RBS, SEM and TEM, XRD analysis showed that the structure of
      as-deposited thin films was amorphous, but it was crystallized to orthorhombic β-Ta₂O? by after-annealing at temperatures higher than 700˚C.
      The SiO₂layer at TiO₂/Si interface is strongly dependent on after-annealing
      conditions and dominates the electrical properties of Ta₂O? thin films on Si.

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