a-IGZO TFT에서 illumination stability mechanism 및 memory로의 적용 연구

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

In this paper,The amorphous indium-gallium zinc oxide thin film transistors (a-IGZO TFTs) with different oxygen flow rate and different Post Deposition Annealing (PDA) temperature was fabricated to clarify the effect of oxygen interstitial and vacancy on the VTH degradation under the illumination. Additionally, the amorphous indium-gallium zinc oxide thin film transistors (a-IGZO TFTs) with nanoparticle (NP) embedded in IGZO channel layer was studied for the memory applications.

목차 (Table of Contents)

• I. 서 론 1
• II. 이론적 배경 7
• 1. IGZO 박막의 특성 7
• 2. IGZO TFT 구조 17
• 3. IGZO TFT의 구동원리 18
• 4. 광 스트레스 메카니즘 20
• 5. Nano particle 29
• III. 실험 및 측정 방법 34
• 1. IGZO TFT의 제작 방법 34
• 2. IGZO memory 소자 제작 방법 38
• 3. 소자의 물리적, 전기적 특성 분석 방법 41
• IV. 실험 결과 및 분석 42
• 1. 두께에 따른 열처리 공정후의 IGZO 박막 특성 분석 42
• 2. 서로 다른 증착조건에서 제작한 IGZO 박막의 특성 분석 44
• 3. IGZO TFT의 DC 특성 분석 46
• 4. IGZO TFT의 광 스트레스 특성 분석 49
• 4. IGZO memory 소자의 특성 분석 80
• V. 결 론 90
• Reference 95
• Abstract 98