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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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Α Β Γ Δ Ε Ζ Η Θ Ι Κ Λ Μ Ν Ξ Ο Π Ρ Σ Τ Υ Φ Χ Ψ Ω α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξ ο π ρ σ τ υ φ χ ψ ω
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      CuBr 반도체 양자구슬에서의 Hole Burning 현상 = Hole burning phenomenons in CuBr semiconductor nanocrystals

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      PSHB spectrum was measured by the pump-probe method.
      After the absorption band of the nanocrystals sample was excited by the spectrally narrow band light, the spectral hole was produced at the position of the exciting light.
      The depth of spectral holes(main hole and side hole) was decreased with the temporal change.
      The energy difference between the zero phonon line and side hole depends on the radius of nanocrystals.
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      PSHB spectrum was measured by the pump-probe method. After the absorption band of the nanocrystals sample was excited by the spectrally narrow band light, the spectral hole was produced at the position of the exciting light. The depth of spectral ho...

      PSHB spectrum was measured by the pump-probe method.
      After the absorption band of the nanocrystals sample was excited by the spectrally narrow band light, the spectral hole was produced at the position of the exciting light.
      The depth of spectral holes(main hole and side hole) was decreased with the temporal change.
      The energy difference between the zero phonon line and side hole depends on the radius of nanocrystals.

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