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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      KCI등재 SCI SCIE SCOPUS

      CMOS Transistors with a 70-nm Gate Length for 0.13-μm-Node High-Performance Applications

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      https://www.riss.kr/link?id=A104336482

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

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      Conventional CMOS transistors for high performance with a 70-nm physical gate length were
      fabricated to evaluate the 130-nm-technology node. In this work, we enhanced the performance
      of transistors by using high-dose P+ implantation, a plasma-nitridation gas oxide, a hydrogen prebake
      (HPB), and a mechanical stress layer. We also reduced the overlap capacitances by using an
      oset spacer. The NMOS and PMOS have drive currents equal to 880 A/m and 420 A/m,
      respectively, with Ioff = 10 nA/m at Vdd = 1.2 V. The unit delay of the ring oscillator (1 fan-out)
      was 11.5 ps.
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      Conventional CMOS transistors for high performance with a 70-nm physical gate length were fabricated to evaluate the 130-nm-technology node. In this work, we enhanced the performance of transistors by using high-dose P+ implantation, a plasma-nitridat...

      Conventional CMOS transistors for high performance with a 70-nm physical gate length were
      fabricated to evaluate the 130-nm-technology node. In this work, we enhanced the performance
      of transistors by using high-dose P+ implantation, a plasma-nitridation gas oxide, a hydrogen prebake
      (HPB), and a mechanical stress layer. We also reduced the overlap capacitances by using an
      oset spacer. The NMOS and PMOS have drive currents equal to 880 A/m and 420 A/m,
      respectively, with Ioff = 10 nA/m at Vdd = 1.2 V. The unit delay of the ring oscillator (1 fan-out)
      was 11.5 ps.

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      1 "TSMC Technology Symposium" 50-, April,2001

      2 "Symposium on VLSI Technology" 79-, June,2001

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      2005-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2002-07-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      2000-01-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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      학술지 인용정보

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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.47 0.15 0.31
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.26 0.2 0.26 0.03
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