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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      마이크로 ISFET pH 센서를 위한 REFET형 마이크로 기준전극 = A REFET Type Micro-Reference-Electrode for Micro ISFET pH-Sensor

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      https://www.riss.kr/link?id=A35499081

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      For the miniaturation of H-ion sensor, the reference electrode should be miniaturized. This can be achieved by differential amplification system with ISFET/Pt/REFET. REFET(REference FET) was developed by forming PVC membrane on the ISFET gate. This new REFET for the differential amplifier consisting of ISFET/Pt/REFET has shown a good operating characteristics, The new micro H-ion sensor has shown a sensitivity of 52mV/pH with a good linearity in the range of pH 4 to pH 10, and been able to eliminate the effects of temperature and light.
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      For the miniaturation of H-ion sensor, the reference electrode should be miniaturized. This can be achieved by differential amplification system with ISFET/Pt/REFET. REFET(REference FET) was developed by forming PVC membrane on the ISFET gate. This ne...

      For the miniaturation of H-ion sensor, the reference electrode should be miniaturized. This can be achieved by differential amplification system with ISFET/Pt/REFET. REFET(REference FET) was developed by forming PVC membrane on the ISFET gate. This new REFET for the differential amplifier consisting of ISFET/Pt/REFET has shown a good operating characteristics, The new micro H-ion sensor has shown a sensitivity of 52mV/pH with a good linearity in the range of pH 4 to pH 10, and been able to eliminate the effects of temperature and light.

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