반도체 소자 검사장비 핸들러는 주 검사장비인 테스터에 반도체 소자를 개별 또는 그룹으로 이송하여 테스 트 환경을 만들어주고 검사가 끝나면 검사결과를 테스터로부터 전송받아 양품과 ...

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2010
Korean
KCI등재
학술저널
3626-3632(7쪽)
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다운로드반도체 소자 검사장비 핸들러는 주 검사장비인 테스터에 반도체 소자를 개별 또는 그룹으로 이송하여 테스 트 환경을 만들어주고 검사가 끝나면 검사결과를 테스터로부터 전송받아 양품과 ...
반도체 소자 검사장비 핸들러는 주 검사장비인 테스터에 반도체 소자를 개별 또는 그룹으로 이송하여 테스 트 환경을 만들어주고 검사가 끝나면 검사결과를 테스터로부터 전송받아 양품과 불량품으로 분류해주는 장비이다. 본 논문에서는 기존에 개발된 핸들러의 챔버 내부 온도 분포의 균일성을 개선하기 위하여, 챔버 덕트의 조절셔터 설치, Heater와 Match Plate 중심위치의 정렬, Match Plate Base의 Hole 크기 및 형상 변경, 온도 센서로 향하는 공기의 흐 름이 원활할 수 있도록 핀에 직경 2 mm의 구멍 설치 등의 설계 변경을 하였다. 설계 변경의 효과를 확인하기 위하 여, 기존 장비와 설계 개선된 장비 내부의 온도 분포를 32개의 온도 센서를 사용하여 측정하였다. 그 결과 기존 챔버 내부 온도 분포는 87.1~91.5℃ (90±2.9℃)이었으나 개선된 챔버 내부 온도 분포는 89.5~90.8℃ (90±0.8℃)으로 15분 이상 지속 가능하여 챔버 내부의 온도 분포 균일성이 크게 개선되었음을 알 수 있었다. 또한 설계 변경 이후의 온도 분포는 90±1℃의 범위 내에서 10분 이상을 유지하는 목표를 달성하였음을 확인하였다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
Some design changes were made to enhance the uniformity of temperature distribution inside the chamber of semiconductor test equipment. The design changes include the installation of adjustable airflow controller inside the chamber, the alignment of t...
Some design changes were made to enhance the uniformity of temperature distribution inside the chamber of semiconductor test equipment. The design changes include the installation of adjustable airflow controller inside the chamber, the alignment of the centers of heater and match plate, the change in the size and the shape of holes in match plate base, and the addition of new holes of 2 mm diameter in order to allow airflow directly to the temperature sensors. In order to verify their effects, the temperature distributions inside the chambers were measured using 32 RTD sensors before and after the design changes. The temperature distributions were in the ranges of 87.1 to 91.5℃ (90±2.9℃) and 89.5 to 90.8℃ (90±0.8℃) before and after the design changes, respectively. The above temperature distribution after design changes was maintained for longer than 15 minutes, which satisfied the target temperature range of 90±1℃ for longer than 10 minutes.
참고문헌 (Reference)
1 주동만, "반도체 열처리 공정을 위한 온도조절기용 전력 제어장치의 설계 및 제작" 3 (3): 257-262, 2002
2 Ogam Technology Co. Ltd, "Specifications of RTD Sensors"
3 Hayama, H, "Semiconductor Device Testing Apparatus U.S.Patent 6,104,204"
4 Sweetland,M., "Rapid IR Heating of Electronic Components in the Testing Cycle" 2001
5 Zant, P.V, "Microchip Fabrication" McGraw-Hill 2004
6 Pfahnl., A.C, "Method and Apparatus for Temperature Control of a Semiconductor Electrical-Test Contractor Assembly U.S.Patent 6,091,062,"
7 JEDEC Solid State Technology Association, "JEDEC Standard: High Temperature Storage Life JESD22-A103C"
8 Rajsuman, R., "Innovation in Test:Where Are We" 2006
9 Pfahnl, A.C, "Heat-Transfer Enhancing Features for Handler Tray-Type Device Carriers" 21 (21): 302-310, 1998
10 Fukumoto,K, "Constant Temperature Chamber in a Handler for Semiconductor Device Testing Apparatus U.S. Patent 5,859,540"
1 주동만, "반도체 열처리 공정을 위한 온도조절기용 전력 제어장치의 설계 및 제작" 3 (3): 257-262, 2002
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3 Hayama, H, "Semiconductor Device Testing Apparatus U.S.Patent 6,104,204"
4 Sweetland,M., "Rapid IR Heating of Electronic Components in the Testing Cycle" 2001
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11 추승용, "'반도체 소자 테스트 핸들러의 테스트 트레이 이송 장치', 대한민국 등록특허 10-0792732,"
학술지 이력
| 연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
|---|---|---|---|
| 2026 | 평가 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
| 2020-01-01 | 등재 | 등재학술지 유지 (재인증) | ![]() |
| 2017-07-01 | 등재 | 등재후보로 하락(현장점검) (기타) | ![]() |
| 2017-07-01 | 등재 | 등재학술지 선정 (계속평가) | ![]() |
| 2015-01-01 | 등재 | 등재학술지 유지 (등재유지) | ![]() |
| 2011-01-01 | 등재 | 등재학술지 유지 (등재유지) | ![]() |
| 2008-01-01 | 등재 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | ![]() |
| 2007-08-28 | 학술지등록 | 한글명 : 한국산학기술학회논문지외국어명 : Journal of Korea Academia-Industrial cooperation Society | ![]() |
| 2007-07-06 | 학회명변경 | 영문명 : The Korean Academic Inderstrial Society -> The Korea Academia-Industrial cooperation Society | ![]() |
| 2007-01-01 | 등재 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | ![]() |
| 2005-01-01 | 등재 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | ![]() |
학술지 인용정보
| 기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
|---|---|---|---|
| 2016 | 0.68 | 0.68 | 0.68 |
| KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
| 0.66 | 0.61 | 0.842 | 0.23 |