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    PE-CVD 장비의 샤워헤드 표면 온도 모니터링 방법 = Showerhead surface temperature monitoring method of PE-CVD equipment

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    https://www.riss.kr/link?id=A106931849

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    How accurately reproducible energy is delivered to the wafer in the process of making thin films using PE-CVD (Plasma enhanced chemical vapor deposition) during the semiconductor process. This is the most important technique, and most of the reaction on the wafer surface is made by thermal energy. In this study, we studied the method of monitoring the change of thermal energy transferred to the wafer surface by monitoring the temperature change according to the change of the thin film formed on the showerhead facing the wafer. Through this research, we could confirm the monitoring of wafer thin-film which is changed due to abnormal operation and accumulation of equipment, and we can expect improvement of semiconductor quality and yield through process reproducibility and equipment status by real-time monitoring of problem of deposition process equipment performance.
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    How accurately reproducible energy is delivered to the wafer in the process of making thin films using PE-CVD (Plasma enhanced chemical vapor deposition) during the semiconductor process. This is the most important technique, and most of the reaction ...

    How accurately reproducible energy is delivered to the wafer in the process of making thin films using PE-CVD (Plasma enhanced chemical vapor deposition) during the semiconductor process. This is the most important technique, and most of the reaction on the wafer surface is made by thermal energy. In this study, we studied the method of monitoring the change of thermal energy transferred to the wafer surface by monitoring the temperature change according to the change of the thin film formed on the showerhead facing the wafer. Through this research, we could confirm the monitoring of wafer thin-film which is changed due to abnormal operation and accumulation of equipment, and we can expect improvement of semiconductor quality and yield through process reproducibility and equipment status by real-time monitoring of problem of deposition process equipment performance.

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    참고문헌 (Reference)

    1 유영기, "투명판의 두께 측정용 비접촉식 광센서 개발" 대한전자공학회 43 (43): 1-6, 2006

    2 조경재, "실시간 플라즈마공정 모니터링을 위한 Self Plasma-Optical Emission Spectroscopy 성능 향상" 한국반도체디스플레이기술학회 16 (16): 75-78, 2017

    3 Y. Kim, "Three-Dimensional NAND Flash Architecture Design Based on Single-Crystalline Stacked Array" 59 (59): 35-45, 2012

    4 Y. Park, "Scaling and Reliability of NAND Flash Devices" 42E.1.1-2E.1.4, 2014

    5 최정호, "PECVD의 주파수 조건에 따른 SiNx막 증착" 한국반도체디스플레이기술학회 13 (13): 21-25, 2014

    6 이호재, "PECVD Chamber Cleaning End Point Detection (EPD)Using Optical Emission Spectroscopy Data" 한국전기전자재료학회 14 (14): 254-257, 2013

    7 김상철, "OES 센서를 이용한 반도체 식각 공정 모니터링 시스템 개발" 한국컴퓨터정보학회 18 (18): 107-118, 2013

    8 왕현철, "High Impedance Filter를 이용한 RF Loss 최소화 방법에 대한 연구" 한국반도체디스플레이기술학회 19 (19): 55-60, 2020

    1 유영기, "투명판의 두께 측정용 비접촉식 광센서 개발" 대한전자공학회 43 (43): 1-6, 2006

    2 조경재, "실시간 플라즈마공정 모니터링을 위한 Self Plasma-Optical Emission Spectroscopy 성능 향상" 한국반도체디스플레이기술학회 16 (16): 75-78, 2017

    3 Y. Kim, "Three-Dimensional NAND Flash Architecture Design Based on Single-Crystalline Stacked Array" 59 (59): 35-45, 2012

    4 Y. Park, "Scaling and Reliability of NAND Flash Devices" 42E.1.1-2E.1.4, 2014

    5 최정호, "PECVD의 주파수 조건에 따른 SiNx막 증착" 한국반도체디스플레이기술학회 13 (13): 21-25, 2014

    6 이호재, "PECVD Chamber Cleaning End Point Detection (EPD)Using Optical Emission Spectroscopy Data" 한국전기전자재료학회 14 (14): 254-257, 2013

    7 김상철, "OES 센서를 이용한 반도체 식각 공정 모니터링 시스템 개발" 한국컴퓨터정보학회 18 (18): 107-118, 2013

    8 왕현철, "High Impedance Filter를 이용한 RF Loss 최소화 방법에 대한 연구" 한국반도체디스플레이기술학회 19 (19): 55-60, 2020

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    2019-01-01 등재 등재학술지 유지 (계속평가) KCI등재
    2016-01-01 등재 등재학술지 유지 (계속평가) KCI등재
    2012-01-01 등재 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
    2010-03-25 학회명변경 한글명 : 한국반도체및디스플레이장비학회 -> 한국반도체디스플레이기술학회
    영문명 : The Korean Society of Semiconductor & Display Equipment Technology -> The Korean Society of Semiconductor & Display Technology
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    2010-03-25 학술지명변경 한글명 : 반도체및디스플레이장비학회지 -> 반도체디스플레이기술학회지
    외국어명 : Journal of the Semiconductor and Display Equipment Technology -> Journal of the Semiconductor & Display Technology
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    2009-01-01 등재 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
    2008-01-01 등재 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) KCI등재후보
    2006-01-01 등재 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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    학술지 인용정보

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    기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
    2016 0.29 0.29 0.26
    KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
    0.21 0.18 0.217 0.02
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