RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      KCI등재

      단일 칩 X-band 달링톤-캐스코드 증폭기 = An MMIC X-band Darlington-Cascode Amplifier

      한글로보기

      https://www.riss.kr/link?id=A76601805

      • 0

        상세조회
      • 0

        다운로드
      서지정보 열기
      • 내보내기
      • 내책장담기
      • 공유하기
      • 오류접수

      부가정보

      국문 초록 (Abstract) kakao i 다국어 번역

      본 논문에서는 증폭특성이 우수한 달링톤-캐스코드(Darlington-Cascode) 증폭기 구조를 제안하였다. 전통적으로 고주파 증폭 특성이 우수하다고 알려진 기존의 캐스코드 증폭기 회로와의 비교를 위해 본 논문에서는 제안된 달링톤-캐스코드 구조와 기존의 캐스코드 구조의 증폭기를 동일 칩 상에 인접하도록 설계하였다. 이 회로들은 45 ㎓의 f<SUB>T</SUB>를 가진 0.35-㎛ SiGe 기반의 초고주파 단일 칩(MMIC; Monolithic Microwave Integrated Circuit)으로 제작되어 동일 조건 하에서 X-band 대역의 고주파 증폭특성들이 측정, 비교 및 분석되었다. 성능 측정결과 제안된 달링톤-캐스코드 증폭기는 11.5 ㏈m의 P1㏈와 19.5 ㏈의 선형 증폭도를 보여주었으며, 기존 캐스코드 증폭기와 비교시 P1㏈는 5.2 ㏈, 이득면에서는 2.5 ㏈의 향상된 결과를 나타내었다.
      번역하기

      본 논문에서는 증폭특성이 우수한 달링톤-캐스코드(Darlington-Cascode) 증폭기 구조를 제안하였다. 전통적으로 고주파 증폭 특성이 우수하다고 알려진 기존의 캐스코드 증폭기 회로와의 비교를 ...

      본 논문에서는 증폭특성이 우수한 달링톤-캐스코드(Darlington-Cascode) 증폭기 구조를 제안하였다. 전통적으로 고주파 증폭 특성이 우수하다고 알려진 기존의 캐스코드 증폭기 회로와의 비교를 위해 본 논문에서는 제안된 달링톤-캐스코드 구조와 기존의 캐스코드 구조의 증폭기를 동일 칩 상에 인접하도록 설계하였다. 이 회로들은 45 ㎓의 f<SUB>T</SUB>를 가진 0.35-㎛ SiGe 기반의 초고주파 단일 칩(MMIC; Monolithic Microwave Integrated Circuit)으로 제작되어 동일 조건 하에서 X-band 대역의 고주파 증폭특성들이 측정, 비교 및 분석되었다. 성능 측정결과 제안된 달링톤-캐스코드 증폭기는 11.5 ㏈m의 P1㏈와 19.5 ㏈의 선형 증폭도를 보여주었으며, 기존 캐스코드 증폭기와 비교시 P1㏈는 5.2 ㏈, 이득면에서는 2.5 ㏈의 향상된 결과를 나타내었다.

      더보기

      다국어 초록 (Multilingual Abstract) kakao i 다국어 번역

      This paper describes a monolithic Darlington-cascode amplifier (DCA) operating at X-band, realized with a 0.35-micron SiGe bipolar process, which provides 45 GHz f<SUB>T</SUB>. A conventional cascode amplifier was also designed on the same process and tested to establish a reference. Compared to the reference cascode amplifier, the proposed monolithic amplifier circuit exhibits an improved gain of 2.5 ㏈ and improved output power 1-㏈ compression point of 5.2 ㏈ with 72% wider bandwidth. Measurement results show 19.5 ㏈ gain, 11.2 ㏈m 1-㏈ compression power, and 3.1 ㎓ bandwidth. These results demonstrate that the Darlington-cascode cell is an advantageous substitute to the conventional cascode amplifier.
      번역하기

      This paper describes a monolithic Darlington-cascode amplifier (DCA) operating at X-band, realized with a 0.35-micron SiGe bipolar process, which provides 45 GHz f<SUB>T</SUB>. A conventional cascode amplifier was also designed on the same...

      This paper describes a monolithic Darlington-cascode amplifier (DCA) operating at X-band, realized with a 0.35-micron SiGe bipolar process, which provides 45 GHz f<SUB>T</SUB>. A conventional cascode amplifier was also designed on the same process and tested to establish a reference. Compared to the reference cascode amplifier, the proposed monolithic amplifier circuit exhibits an improved gain of 2.5 ㏈ and improved output power 1-㏈ compression point of 5.2 ㏈ with 72% wider bandwidth. Measurement results show 19.5 ㏈ gain, 11.2 ㏈m 1-㏈ compression power, and 3.1 ㎓ bandwidth. These results demonstrate that the Darlington-cascode cell is an advantageous substitute to the conventional cascode amplifier.

      더보기

      목차 (Table of Contents)

      • 요약
      • Abstract
      • Ⅰ. 서론
      • Ⅱ. 캐스코드 증폭기 회로 구조와 달링톤-캐스코드 증폭기 회로 구조
      • Ⅲ. 증폭기 제작 및 특성 분석
      • 요약
      • Abstract
      • Ⅰ. 서론
      • Ⅱ. 캐스코드 증폭기 회로 구조와 달링톤-캐스코드 증폭기 회로 구조
      • Ⅲ. 증폭기 제작 및 특성 분석
      • Ⅳ. 결론
      • 참고문헌
      • 저자소개
      더보기

      참고문헌 (Reference)

      1 K. Nakajima, "X-band SiGe-MMIC low noise amplifier using low parasitic capacitance via holes for emitter grounding" 431-434, 2007

      2 P. Roux, "Ultra-low-power X-band SiGe HBT low-noise amplifiers" 1787-1790, 2007

      3 Y. J. Llano, "SiGe BiCMOS LNA meeting FCC part 15 ultra-wideband restrictions" 183-186, 2004

      4 K. W. Kobayashi, "GaAs HBT wideband matrix distributed and Darlington feedback amplifiers to 24 GHz" 39 (39): 2001-2009, 1991

      5 M. C. Chiang, "Analysis, design, and optimization of InGaP-GaAs HBT matched-impedance wide-band amplifiers with multiple feedback loops" 37 (37): 694-701, 2002

      6 J. S. Lee, "Analysis and design of an ultra-wideband low-noise amplifier using resistive feedback in SiGe HBT technology" 54 (54): 2006

      7 W. M. L. Kuo, "An X-band SiGe LNA with 1.36 dB mean noise figure for monolithic phased array transmit-receive radar modules" 11-13, 2006

      8 J. Chen, "An Ultra-Wideband and Low-Power Amplifier Using 0.35-m SiGe BiCMOS Technology" 2614-2617, 2006

      9 K. W. Kobayashi, "A novel E-mode PHEMT linearized Darlington cascode amplifier" 153-156, 2006

      10 W.M. L. Kuo, "A low-power, X-band SiGe HBT low-noise amplifier for near-space radar applications" 6 (6): 520-522, 2006

      1 K. Nakajima, "X-band SiGe-MMIC low noise amplifier using low parasitic capacitance via holes for emitter grounding" 431-434, 2007

      2 P. Roux, "Ultra-low-power X-band SiGe HBT low-noise amplifiers" 1787-1790, 2007

      3 Y. J. Llano, "SiGe BiCMOS LNA meeting FCC part 15 ultra-wideband restrictions" 183-186, 2004

      4 K. W. Kobayashi, "GaAs HBT wideband matrix distributed and Darlington feedback amplifiers to 24 GHz" 39 (39): 2001-2009, 1991

      5 M. C. Chiang, "Analysis, design, and optimization of InGaP-GaAs HBT matched-impedance wide-band amplifiers with multiple feedback loops" 37 (37): 694-701, 2002

      6 J. S. Lee, "Analysis and design of an ultra-wideband low-noise amplifier using resistive feedback in SiGe HBT technology" 54 (54): 2006

      7 W. M. L. Kuo, "An X-band SiGe LNA with 1.36 dB mean noise figure for monolithic phased array transmit-receive radar modules" 11-13, 2006

      8 J. Chen, "An Ultra-Wideband and Low-Power Amplifier Using 0.35-m SiGe BiCMOS Technology" 2614-2617, 2006

      9 K. W. Kobayashi, "A novel E-mode PHEMT linearized Darlington cascode amplifier" 153-156, 2006

      10 W.M. L. Kuo, "A low-power, X-band SiGe HBT low-noise amplifier for near-space radar applications" 6 (6): 520-522, 2006

      11 D. Barras, "A low supply voltage SiGe LNA for ultra-wideband frontends" 14 (14): 469-471, 2004

      12 J. Andrews, "A high-gain, two-stage, X-band SiGe power amplifier" 817-820, 2007

      13 J. S. Lee, "A 8-GHz SiGe HBT VCO design on a low resistive silicon substrate using GSML" 54 (54): 2128-2136, 2007

      14 R. G. Meyer, "A 4-terminal wide-band monolithic amplifier" 16 (16): 634-638, 1981

      15 N. H. Sheng, "A 30 GHz bandwidth AlGaAs-GaAs HBT direct-coupled feedback amplifier" 1 (1): 208-210, 1991

      16 H. S. Tsai, "90 GHz baseband lumped amplifier" 36 (36): 1833-1834, 2000

      17 Y. Suzuki, "50-GHz-bandwidth baseband amplifiers using GaAs-based HBT's" 33 (33): 1336-1341, 1998

      18 K. W. Kobayashi, "1-watt conventional and cascoded GaN-SiC Darlington MMIC amplifiers to 18 GHz" 585-588, 2007

      더보기

      동일학술지(권/호) 다른 논문

      동일학술지 더보기

      더보기

      분석정보

      View

      상세정보조회

      0

      Usage

      원문다운로드

      0

      대출신청

      0

      복사신청

      0

      EDDS신청

      0

      동일 주제 내 활용도 TOP

      더보기

      주제

      연도별 연구동향

      연도별 활용동향

      연관논문

      연구자 네트워크맵

      공동연구자 (7)

      유사연구자 (20) 활용도상위20명

      인용정보 인용지수 설명보기

      학술지 이력

      학술지 이력
      연월일 이력구분 이력상세 등재구분
      2014-01-21 학회명변경 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers
      2012-09-01 평가 학술지 통합(등재유지)
      2011-01-01 평가 등재학술지 유지(등재유지) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재학술지 유지(등재유지) KCI등재
      2007-10-04 학술지명변경 한글명 : 전자공학회논문지 - TC</br>외국어명 : TeleCommunication KCI등재
      2007-01-01 평가 등재학술지 유지(등재유지) KCI등재
      2005-01-01 평가 등재학술지 유지(등재유지) KCI등재
      2002-07-01 평가 등재학술지 선정(등재후보2차) KCI등재
      2000-01-01 평가 등재후보학술지 선정(신규평가) KCI등재후보
      더보기

      이 자료와 함께 이용한 RISS 자료

      나만을 위한 추천자료

      해외이동버튼