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      Chalcogenide 非晶質 半導體에 관한 硏究 = Study of Chalcogenide Amorphous Semiconductors

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      https://www.riss.kr/link?id=A3140120

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      Many investigations have been done, in recent years, of chalcogenide amorphous semi-conductors by electron spin resonance of doped Mn.
      Such a technique is found to be useful for investigating the impurity effect and the structural change due to annealing and photo-irradiation.
      First, the amorphous structure is studied in detail; second, we show that the optical and electrical measurements reveal the effect of doped Mn from the microscopic point of view. Finally, the structural change due to annealing and photo-irradiation which is characteristic of lone pair amorphous semiconductors is described and the ESR study is shown to be useful in clarifying microscopically the structural change.
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      Many investigations have been done, in recent years, of chalcogenide amorphous semi-conductors by electron spin resonance of doped Mn. Such a technique is found to be useful for investigating the impurity effect and the structural change due to annea...

      Many investigations have been done, in recent years, of chalcogenide amorphous semi-conductors by electron spin resonance of doped Mn.
      Such a technique is found to be useful for investigating the impurity effect and the structural change due to annealing and photo-irradiation.
      First, the amorphous structure is studied in detail; second, we show that the optical and electrical measurements reveal the effect of doped Mn from the microscopic point of view. Finally, the structural change due to annealing and photo-irradiation which is characteristic of lone pair amorphous semiconductors is described and the ESR study is shown to be useful in clarifying microscopically the structural change.

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      목차 (Table of Contents)

      • Ⅰ.緖論
      • Ⅱ.本論
      • 1.不純物效果
      • 2.光照射效果
      • 3.熱處理效果
      • Ⅰ.緖論
      • Ⅱ.本論
      • 1.不純物效果
      • 2.光照射效果
      • 3.熱處理效果
      • 4.檢討
      • Ⅲ.結論
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