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Bairamov, B. K. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.531
Kuleev, I. G. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.544
Mechanism for the formation of porous silicon
Moroz, G. K. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.550
Transmission of electrons through double-barrier resonant-tunneling structures in rf fields
Golant, E. I. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.553
Multivalued distributions of electrons among valleys in multilayer structures and p-n junctions
Gribnikov, Z. S. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.558
Popov, I. A. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.564
Low-frequency electromechanical relaxation in piezoelectric semiconductors
Sviridov, V. V. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.567
Electronic properties of a silicon carbide surface of the 15R rhombohedral modification
Avramenko, S. F. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.572
Method for purifying a silicon carbide surface in high vacuum
Andreev, A. N. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.577
High-boron compounds: phases of variable composition
Golikova, O. A. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.580
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